Оперативная память

DDR4 8G 3200MHz SAMSUNG (SEC432N16/8)

Модуль памяти Exceleram DDR3, 8GB (2x4GB), 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 2 планки (E30146A)

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 8 ГБ, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 2666 MHz, Тайминги - CL19, Напряжение - 1.2 V, 120 месяцев

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 2666 MHz, CL19-19-19, 1.2 V

Модуль памяти SODIMM 4G DDR4 2666MHz PATRIOT (box) (PSD44G266682S)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц

Модуль памяти eXceleram Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 8 GB, Количество модулей в наборе - 2, Частота памяти - 2666 MHz, CL16, Напряжение - 1.2 V (E408266A)

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22, 1.2 V, 288-pin SO-DIMM, non-ECC

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22, 1.2 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, нет

Пам'ять ПК ADATA DDR4 8GB 2666 (AD4U26668G19-SGN)

Модуль памяти eXceleram DDR4 8GB 2666 MHz LOGO Series (EL408269A)

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 2400 MHz, CL17, 1.2 V, нет

Модуль памяти Kingston DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (KVR26N19S8/8) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Kingston ValueRAM DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (KVR26S19S8/8) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Kingston DDR4 3200 8GB SoDIMM (KVR32S22S8/8)

Модуль памяти Kingston DDR4 SoDIMM 8GB 3200MHz (KVR32S22S6/8)

Пам'ять ноутбука Crucial DDR4 8GB 3200 (CT8G4SFRA32A)

Модуль памяти GoodRAM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400Mhz (GR2400D464L17S/8G) - DDR4; 8 Гб; 2400 МГц; cтандарт памяти: PC4-19200; пропускная способность: 19200 мб/сек.

Модуль памяти 8GB PATRIOT DDR4 3200 MHz Viper Steel (PVS48G320C6)

Модуль памяти DDR4 8G 3200MHz Kingston (KVR32N22S8/8BK)

Модуль памяти Apacer ES.08G2V.GNH - назначение: для ноутбуков; объем памяти: 8ГБ; количество планок: 1; форм-фактор памяти: So-Dimm; тип оперативной памяти: DDR4; частота, МГц: 2666; пропускная способность, МБ/c: 21300; тайминги: CL19; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); проверка и коррекция ошибок (ECC): нет; напряжение питания, В: 1.2; радиатор охлаждения: нет (ES.08G2V.GNH) ... развернутьсвернуть

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 2666 MHz, CL16-18-18, 1.2 V

Модуль памяти NCP DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (NCPC9AUDR-24M58) - тип: DDR4, DIMM, 288-контактная; объем: 4 Гб; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; напряжение питания: 1.2 В; тайминги: CL 17.

DDR4, 8 ГБ, У наборі - 1, 3200 МГц, CL22-22-22, 1.2 В, 262-pin SO-DIMM, non-ECC, немає

Модуль памяти DDR4 8GB/2666 Apacer NOX (AH4U08G26C08YMBAA-1) (AH4U08G26C08YMBAA-1)

Модуль памяти для компьютера DDR4 8GB 2666 MHz Netac (NTBSD4P26SP-08)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2133MHz (M471A1G43DB0-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1x8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2V.

Оперативная память Hynix SO-DIMM DDR4 8GB ORIGINAL 2666 MHz, CL19, 1.2V (HMA81GS6JJR8N-VK)

Память Samsung 8 GB DDR4 2133 MHz - (M378A1K43BB1-CPB)

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 8 ГБ, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 3200 MHz, Тайминги - CL22, Напряжение - 1.2 V, 120 месяцев