Оперативная память

Модуль памяти G.Skill DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GNS) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; 1.2 В.

Модуль памяти Samsung So-Dimm DDR3 8GB 1600MHz Original (M471B1G73EB0-YK0) - 1 модуль памяти DDR3; объем памяти: 8 GB; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.

Модуль памяти Micron Crucial DDR3 8Gb 1600MHz (CT102464BD160B) - DDR3; 8 Гб; 1х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.

Модуль памяти G.Skill Value DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (F4-2400C17S-8GNT) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти GOODRAM DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600D364L11/8G)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11/8G)

Модуль памяти Team Elite DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (TED48G2666C1901) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS-задержка: CL19; формула таймингов: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Arktek DRAM DDR4 8Gb 3200 MHz 1,2V, CL-17, Heatsink, XMP 2.0 (AKD4S8P3200H)

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22, 1.35 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC

Модуль памяти LEXAR 8GB DDR4 3200MHz UDIMM (LD4AU008G-B3200GSST)

ATRIA UAT43200CL22K1/8 модуль пам'яті 8Gb DDR4 3200MHz UAT43200CL22K1/8 (UAT43200CL22K1/8)

ATRIA UAT43200CL22SK1/8 модуль пам'яті 8Gb DDR4 3200MHz sodimm UAT43200CL22SK1/8 (UAT43200CL22SK1/8)

Модуль памяти PATRIOT 8GB DDR4 2666MHz Non-ECC UDIMM w/heatsheild (PSP48G266681H1)

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GIS) - DIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15-35; 1.2 В; поддержка XMP; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Black.

DDR3, 8 ГБ, В наборе - 1, 1600 MHz, CL11, 1.35 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, нет

Модуль памяти G.Skill DDR4 8Gb 3000MHz (F4-3000C16S-8GISB) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 3000 МГц (24000 Мб/с); наличие радиатора; CL16; 1.35 В; XMP.

Модуль памяти Patriot DDR4 8GB 3200MHz Signature Line Premium (PSP48G320081H1)

Модуль памяти DDR4 8GB/2666 Patriot Viper Elite II Red (PVE248G266C6)

Модуль памяти Samsung SO-DIMM, DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (M471B1G73QH0-YK0)

DDR3 8G 1600Mhz HYNIX Org 1.35V (HMT41GU6DFR8A-PB)

Модуль памяти Hynix DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600Mhz (HMT41GU6BFR8C-PB) - DDR3; DIMM 240-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; количество чипов каждого модуля: 16; двусторонняя упаковка; 1.5 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (HMA81GU6AFR8N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти MICRON DDR3 SO-DIMM 1600 8Gb C11 (MT16KTF1G64HZ-1G6N1)

Модуль памяти HYNIX SO-DIMM DDR4 8GB 2133MHZ CL15 1.2V (HMA41GS6AFR8N-TF)

Модуль памяти DDR3 8GB 1600 MHz Hynix 1,35V (HMT41GU6BFR8A-PB)

Модуль памяти MICRON DDR3 SO-DIMM 1600 8Gb C11 1.35v (MT16KTF1G64HZ-1G6E1)

пам'ять MICRON DDR3 1600 8Gb C11 1.35v (MT16KTF1G64AZ-1G6E1)

Пам'ять Hynix 8 GB DDR3 1600 MHz - (HMT41GU6AFR8C-PB)

пам'ять Ramaxel 8GB DDR3L 1600 MHz (RMR5040ME68FAF-1600)

Модуль памяти Team Elite DDR4 8GB 3200MHz (TED48G3200C2201)