Корзина
0 товаров на сумму грн
Наличная |
Безналичная |
С НДС - за запросом |
ехнические характеристики
Форм-фактор: M.2 2280
Ёмкость: 4 ТБ
Тип ячеек памяти: 3D NAND TLC
Контроллер: Samsung Pascal
DRAM кэш: 4 GB LPDDR4
Интерфейс передачи данных: NVMe PCIe
Версия PCIe: Gen4 x4
Версия NVMe: 2.0
Скорость чтения (ATTO), до: 7450 МБ/с
Скорость записи (ATTO), до: 6900 МБ/с
Устойчивость к ударным нагрузкам, до: 1500 G
Ресурс записи: 2400 TBW
Время наработки на отказ (МТBF): 1.5 млн. часов
Подсветка: нет
Радиатор: есть
Шифрование данных: AES 256-bit
Размеры: 80 × 24.3 × 8.2 мм