Оперативная память

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц (HMT325S6CFR8C-H9)

Модуль памяти DDR3 2GB 1333MHz (PC3-10600) Micron (MT16JTF25664AZ-1G4G1)

Модуль памяти Samsung original DDR3, 2GB, 1600MHz, PC3-12800 (M378B5773QB0-CK0)

Модуль памяти DDR2 2GB 667 MHz Hynix (HYMP125U64CP8-Y5) 667 MHz, PC2-5300, CL5, 1 планка

Модуль памяти Micron Crucial DDR2 2Gb (1х2Gb) 667MHz (CT25664AA667) - DDR2; 2 Гб; 1х2 Гб; 667 МГц (5330 Мб/с); CL5; 1.8 В.

Модуль памяти Hynix DDR 1GB 400MHz (HYND7AUDR-50M48) PC-3200, CL3, 1 планка

Модуль памяти Geil DDR3 2GB 1600MHz PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (GN32GB1600C11S)

Модуль памяти Hynix DDR3 2GB, 1333MHz, 1.5В, CL10, PC10600 (HMT325U6CFR8C-H9N0)

Модуль памяти Golden Memory DDR3 2Gb (1x2Gb) 1600Mhz (GM16N11/2) - тип: DDR3, DIMM, 240-контактная; объем: 2 Гб; тактовая частота: 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; напряжение питания: 1.5 В.

Модуль памяти Hynix DDR2 2GB, 800MHz, PC2-6400, штатные тайминги: CL6, рабочее напряжение: 1,8 В (HYMP125U64CP8-S6)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC (M378B5173DB0-CK0)

Модуль памяти Samsung Original DDR3 4GB, 1600GHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173EB0-CK0)

Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800 (HMT451U6BFR8C-PB)

Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, CL11 (HMT451U6AFR8C-PB)

Модуль памяти Hynix DDR3, 2GB, 1333MHz, PC3-10600, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение 1,5 В (HMT325U6BFR8C)

Модуль памяти SAMSUNG DDR2 2048Mb 800 MHz (M378T5663FB3-CF7) 800 MHz, PC2-6400, CL6, 1 планка

Модуль памяти SAMSUNG DDR3 4GB 1600 MHz (M378B5273DH0-CK0 / M378B5273CH0-CK000), PC3-12800, CL9, 1 планка

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц (M378B5173CB0-CK0)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц (M378B5173QH0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR3 4Gb 1600MHz (M378B5173EB0-YK0) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 512Mx4; упаковка микросхем: односторонняя; количество ранков: 1.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600Mhz (GM16N11/4) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; CAS Latency (CL): CL11.

Оперативная память; PC3-10666; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,5 В (CT51264BA1339)

Модуль памяти Hynix DDR3 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (HMT351U6BFR8C-H9)

Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10666, CL9, 1 планка (M378B5273DH0-CH9)

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, 1.35V (M471B5173BH0-YK0)

Модуль памяти Samsung DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173BH0-CK0)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

Модуль памяти Silicon Power DDR3 4GB 1600MHz (SP004GLLTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 4 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.

Модуль памяти Geil DDR4 4GB 2400MHz (GN44GB2400C16S) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 4 Гб; CAS Latency (CL): 16; 1.2 В.