Оперативная память

Модуль памяти G.SKILL Original Value Series - NT DDR3, 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (F3-10600CL9S-4GBNT)

Модуль памяти Samsung DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173BH0-CK0)

Модуль памяти G.Skill DDR3 16Gb 1600MHz (F3-1600C10D-16GAO) - DDR3; 16 Гб; 2х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); наличие радиатора; CL10; 1.5 В; XMP (Xtreme Memory Profiles).

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, 1.35V (M471B5173BH0-YK0)

Модуль памяти Samsung original DDR3, 2GB, 1600MHz, PC3-12800 (M378B5773QB0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb 2133MHz (M378A1G43EB1-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.

Модуль памяти G.Skill DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка (F3-1600C11S-8GNT)

Модуль памяти DDR3 4GB 1600 MHz G.Skill (F3-1600C11S-4GNT) PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 10

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц (M378B5173CB0-CK0)

2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц (M378B5173QH0-CK0)

Модуль памяти G.SKILL DDR4 8GB 2400MHz Value NT (F4-2400C15S-8GNT) - 1 модуль памяти DDR4; объем: 8Gb; частота: 2400Mhz; тайминги: CL15.

Модуль памяти Samsung DDR4 16Gb 2400MHz (M378A2K43BB1-CRC) - DDR4; 16 Гб; 1х16 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2 В.

Модуль памяти G.Skill DDR4 8Gb 3000MHz (F4-3000C16S-8GISB) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 3000 МГц (24000 Мб/с); наличие радиатора; CL16; 1.35 В; XMP.

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11 (M378B1G73QH0-CK0)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC (M378B5173DB0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR4 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (M378A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти G.Skill Trident Z DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-16GTZKW) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 3200 МГц (25600 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: 16-18-18-38; питание: 1.35 В; XMP (Xtreme Memory Profiles).

Модуль памяти G.Skill Trident Z DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-16GTZB) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 3200 МГц (25600 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.35 В; XMP (Xtreme Memory Profiles); дополнительно: unbuffered, non-ECC.

Модуль памяти Samsung DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (M378B1G73DB0-CK0) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.

Модуль памяти Samsung SO-DIMM, DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (M471B1G73QH0-YK0)

Модуль памяти Samsung Original DDR3 4GB, 1600GHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173EB0-CK0)

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 32GB (2x16GB) 3200 MHz Ripjaws V G.Skill (F4-3200C16D-32GVK)

Модуль памяти G.Skill Trident Z RGB DDR4 16Gb (2x8Gb) 3000MHz (F4-3000C16D-16GTZR) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 3000 МГц (24000 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.35 В; XMP (Xtreme Memory Profiles).

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 16Gb (2x8Gb) 2400MHz (F4-2400C17D-16GIS) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 8 ГБ; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.

Модуль памяти G.Skill DDR4 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (F4-2400C15S-16GIS) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: DIMM 288-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 16 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; напряжение питания: 1.2 В; радиатор. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V Classic Black DDR4 16Gb 3200MHz (F4-3200C16S-16GVK) - DDR4; DIMM 288-контактный; 3000 МГц; 24000 Мб/с; 1 модуль 16 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; 1.35 В; радиатор.

Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 1600MHz (M378B1G73EB0-YK0) - DIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 16; тип микросхем: 1Gx64; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.

Модуль памяти G.Skill DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GNS) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; 1.2 В.