Оперативная память

Модуль памяти GOODRAM DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600D364L11/8G)

Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: 9-9-9-24; рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1333C901)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 4GB 1333MHz, PC3-10600Mb/sec, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение: 1,5 В (GR1333D364L9S/4G)

Модуль памяти Tem DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5 В (TED3L4G1600C1101)

Модуль памяти GOODRAM DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,5 В (GR1600D364L11S/4G)

Модуль памяти DDR3 8 ГБ GoodRam 12800 MБ/с; 1600 МГц; RET (GR1600D3V64L11/8G)

Модуль памяти Team Elite DDR3, 8Gb, 1333MHz, CAS Latency (CL): CL9, PC3-10660 (TED38G1333C901)

Модуль памяти Team Elite U-DIMM DDR4 4Gb 2400MHz (TED44G2400C1601) - DDR4; 4 Гб; 1х4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.

Модуль памяти Team Elite DDR4 16Gb 2400MHz (TED416G2400C1601) - DDR4; 16 Гб; 2х8 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.

Модуль памяти Team Elite DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,35 / 1,5 В

Модуль памяти Team DDR3 4GB 1600MHz PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1600C1101)

Модуль памяти Team Elite DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (TED3L8G1600C1101)

Модуль памяти GooDRAM DDR3 4GB 1600MHz (GR1600D3V64L11S/4G) - объем памяти: 4 GB; тип памяти: DDR3; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.

Модуль памяти GoodRAM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400Mhz (GR2400D464L17S/8G) - DDR4; 8 Гб; 2400 МГц; cтандарт памяти: PC4-19200; пропускная способность: 19200 мб/сек.

Модуль памяти Goodram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GR2400D464L17S/4G) - объем памяти: 4 ГБ; тип памяти: DDR4 SDRAM; напряжение питания: 1.2 В; частота памяти: 2400 МГц; эффективная пропускная способность: 19200 МБ/с; схема таймингов памяти: CL-17; количество планок: 1; назначение: для настольных ПК; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти GoodRam Iridium X Black DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (IR-X2666D464L16S/8G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.2 В.

Модуль памяти GoodRam Iridium X Black DDR4 16Gb (2x8Gb) 2666MHz (IR-X2666D464L16S/16GDC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 8 ГБ; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18; рабочее напряжение: 1.2 В; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный. ... развернутьсвернуть