Модуль памяти Apacer DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666Mhz (EL.08G2V.GNH) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В.
Модуль памяти Team Elite DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (TED48G2666C1901) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS-задержка: CL19; формула таймингов: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2 В.
Модуль памяти Corsair Vengeance LPX Black XMP Kit CMK8GX4M2C3000C16 - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8ГБ; количество модулей в комплекте: 2x4ГБ; тактовая частота: 3000МГц; CAS-задержка: CL16; формула таймингов: 16-18-18-36; рабочее напряжение: 1.35В; поддержка XMP: да; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный (CMK8GX4M2C3000C16)... развернутьсвернуть
Модуль памяти Golden Memory GM800D2S6/4 - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR2; объём памяти: 4ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 800МГц; CAS-задержка: CL6; рабочее напряжение: 1.8В (GM800D2S6/4)
Модуль памяти Samsung M471B5173DBO-YKO - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR3L; объём памяти: 4ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600МГц; рабочее напряжение: 1.35В; количество ранков: 1 (M471B5173DBO-YKO)
Модуль памяти Samsung M378B5173QHO-CKO - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600МГц; CAS-задержка: CL11; рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173QHO-CKO)
Модуль памяти eXceleram Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 8 GB, Количество модулей в наборе - 2, Частота памяти - 2666 MHz, CL16, Напряжение - 1.2 V (E408266A)
Модуль памяти MICRON CRUCIAL, Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 8 ГБ, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 3200 MHz, Тайминги - CL22, Напряжение - 1.2 V (CT8G4DFRA32A)