Оперативная память

Модуль памяти Hynix DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600Mhz (HMT351U6CFR8C-PB) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; CAS Latency (CL): CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; рабочее напряжение: 1.5 В.

Модуль памяти Hynix DDR3L 4GB 1600 MHz - Тип памяти - DDR3, объем памяти - 4 GB, количество модулей в наборе - 1, частота памяти - 1600 MHz, тайминги - CL11, напряжение - 1.35V (HMT451U6DFR8A-PBN/HMT451U6BFR8A-PB)

Тип памяти - DDR3, Объем памяти - 4 GB, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 1600 MHz, CL11, Напряжение - 1.5 V

Тип памяти - DDR3, Объем памяти - 4 GB, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 1600 MHz, CL11, Напряжение - 1.35 V

Модуль памяти MICRON DDR3 SoDIMM 1600MHz 4Gb 1.35v (MT8KTF51264HZ-1G6E1)

Модуль памяти DDR3 SO-DIMM Samsung 1600 4Gb C11 1.35v (M471B5173CB0-YK0)

пам'ять Micron 4GB DDR3 1333MHz CL9 (MT16JTF51264AZ-1G4M1)

пам'ять MICRON 4GB DDR3L 1600 MHz (MT8KTF51264AZ-1G6P1)

Модуль памяти DDR4 16GB (2x8GB) 3600 MHz Vengeance LPX Black CORSAIR (CMK16GX4M2D3600C16)

Модуль памяти Samsung Original DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (M378A2K43CB1-CTD) - объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота:: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти DDR4 16GB 2666 Hynix original C19 (HMA82GU6CJR8N-VK)

Модуль памяти SO-DIMM DDR4 16GB 3200 Samsung C22 (M471A2K43DB1-CWE)

Модуль памяти Micron 16 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz - (MTA16ATF2G64HZ-3G2J1)

Память Hynix 16 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMA82GS6DJR8N-XN)

Память Hynix 16 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMAA2GS6CJR8N-XN)

Пам'ять Micron 16 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (MTA8ATF2G64HZ-3G2F1)

Модуль памяти Samsung DDR4 16Gb 2400MHz (M378A2K43BB1-CRC) - DDR4; 16 Гб; 1х16 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 16Gb 2133MHz (M471A2K43BB1-CPB) - DDR4; 16 Гб; 1x16 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.

Пам'ять Hynix 16 GB DDR4 2666 MHz ECC (HMA82GU7CJR8N-VK)

Память Micron 16 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz - (MTA16ATF2G64HZ-2G6H1)

Память Hynix 16 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMAA2GS6AJR8N-XN)

Память MICRON 16GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (MTA16ATF2G64HZ-2G6J1)

Пам'ять Hynix 16 GB DDR4 2133 MHz (HMA82GU6MFR8N-TF)

Пам'ять Hynix 16 GB DDR4 2400 MHz ECC (HMA82GU7AFR8N-UH)

Модуль памяти Samsung SO-DIMM, DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (M471B1G73QH0-YK0)

DDR3 8G 1600Mhz HYNIX Org 1.35V (HMT41GU6DFR8A-PB)

Модуль памяти Hynix DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600Mhz (HMT41GU6BFR8C-PB) - DDR3; DIMM 240-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; количество чипов каждого модуля: 16; двусторонняя упаковка; 1.5 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (HMA81GU6AFR8N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти MICRON DDR3 SO-DIMM 1600 8Gb C11 (MT16KTF1G64HZ-1G6N1)