Оперативная память

Модуль памяти Ramaxel 4 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (RMSA3270ME86H9F-2666)

Модуль памяти Samsung 4GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz (M471A5244BB0-CRC)

пам'ять Hynix 4 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMA851S6CJR6N-XN)

Пам'ять SAMSUNG 4 GB DDR4 3200 MHz (M378A5244CB0-CWE)

Пам'ять Ramaxel 4 GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz (RMSA3270NA86H9F-2400)

Модуль памяти Crucial So-Dimm DDR3 4GB 1066MHz (CT4G3S1067M) - 1 модуль памяти DDR3; объем модуля 4 Гб; форм-фактор SODIMM, 204-контактный; частота 1066 МГц; CAS Latency (CL): 7.

Память Hynix 4GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (HMT351S6AFR8C-G7)

Память MICRON 4GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (MT16JSF51264HZ-1G1D1)

Память Crucial 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (CT51264BC1067)

Модуль памяти Samsung Semiconductor - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11 (M471B1G73DB0-YK0)

Модуль памяти SO-DIMM 8Gb DDR3 1600MHz Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 1.35В

Модуль памяти Kingston DDR3 SoDIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (KVR16LS11/8G)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (M471A1K43CB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Samsung M471A1K43BB1-CRC - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR4; объём памяти: 8ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400МГц; CAS-задержка: CL17; формула таймингов: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2В; количество ранков: 1 (M471A1K43BB1-CRC)

Модуль памяти DDR4 8GB 2666MHz Hynix original C19 (HMA81GU6JJR8N-VK)

Модуль памяти Hynix SO-DIMM 8GB/1600 DDR3L (HMT41GS6BFR8A-PB)

Модуль памяти SoDIMM DDR4 8GB HYNIX ORIGINAL 2400 MHz, CL17, 1.2V (HMA81GS6AFR8N-UH)

Модуль памяти SO-DIMM 8GB/2400 DDR4 Micron (MTA8ATF1G64HZ-2G3B1)

Модуль памяти DDR4 8GB 3200 Samsung original C22 (M378A1G44AB0-CWE)

Модуль памяти Samsung 8GB SO-DIMM DDR4 2133MHz (M471A1K43BB0-CPB)

пам'ять MICRON DDR3 SO-DIMM 1600 8Gb C11 1.35v (MT16KTF1G64HZ-1G6D1)

Модуль памяти Hynix 8 GB DDR3L 1600 MHz (HMT41GU6AFR8A-PB) 1,35V (HMT41GU6AFR8A-PB)

Модуль памяти Micron 8GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz (MTA8ATF1G64HZ-2G3E1)

Пам'ять Hynix 8GB SO-DIMM DDR3L 1600 MHz ECC (HMT41GA7AFR8A-PB)

Память для ноутбуков Ramaxel 8 GB SO-DIMM DDR3L 1600 MHz (RMT3160MP68FAF-1600)

Память Micron 8 GB DDR4 2133 MHz (MTA16ATF1G64AZ-2G1B1)

Модуль памяти Samsung So-Dimm DDR3 8GB 1600MHz Original (M471B1G73EB0-YK0) - 1 модуль памяти DDR3; объем памяти: 8 GB; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.

Модуль памяти Micron Crucial DDR3 8Gb 1600MHz (CT102464BD160B) - DDR3; 8 Гб; 1х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.

Corsair DDR5, 7200MT/s 32GB 2x16GB DIMM, Unbuffered, 34-44-44-96, OC PMIC, XMP 3.0, DOMINATOR PLATINUM RGB DDR5 Black Heatspreader, RGB LED, 1.45V, for Intel 700 EAN: 0840006699910 (CMT32GX5M2X7200C34)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11 (M378B1G73QH0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (M378B1G73DB0-CK0) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.

Модуль памяти Hynix Original DDR3 8Gb PC3 -12800 CL11 1600MHz (HMT41GU6MFR8C-PB)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

Пам'ять MICRON 4 GB SO-DIMM DDR3 1600 MHz (MT16JTF51264JHZ-1G6M2)

Модуль памяти Samsung DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173BH0-CK0)

Оперативная память; PC3-10666; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,5 В (CT51264BA1339)

Модуль памяти Hynix DDR3 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (HMT351U6BFR8C-H9)

Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10666, CL9, 1 планка (M378B5273DH0-CH9)

Модуль памяти Samsung DDR3, SO-DIMM, 4GB, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (M471B5273DH0-CK0)

Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Nanya (NT4GC64B8HG0NS-DI) 1600 MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 1 планка

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, 1.35V (M471B5173BH0-YK0)

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (HMT351S6EFR8A-PB) - набор: 1 модуль; объем: 4 Гб; тип: DDR3 SO-DIMM; частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; тайминги: 11-11-11; напряжение питания: 1.35 В; расположение чипов: двустороннее; число микросхем: 16; емкость микросхем: 2 Гбит; тип микросхем: 256Mx8.

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org 1.35V (HMT351S6CFR8A-PB)

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org 1.35V (HMT451S6AFR8A-PB)

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org (HMT451S6BFR8C-PB)

Модуль памяти SODIMM 4G DDR3 1600MHz SAMSUNG Original 1.35V (M471B5273DH0-YK0)

SO-DIMM 4GB/1866 DDR3L Micron (MT8KTF51264HZ-1G9P1) (MT8KTF51264HZ-1G9P1)

Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz CL9 SAMSUNG 1,5V (M378B5273CH0-CH9)

пам'ять SK Hynix 4GB DDR3 1333MHz 1.5В (HMT351U6CFR8C-H9)

Модуль памяти DDR3 SO-DIMM MICRON 1600 4Gb C11 (MT16JTF51264HZ-1G6M1)