Оперативная память

Модуль памяти CORSAIR DDR4 16GB(2x8GB) 3200Mhz Vengeance LPX Black (CMK16GX4M2B3200C16) - 2 модуля памяти DDR4; объем модуля 8 Гб; форм-фактор DIMM, 288-контактный; частота 3200 МГц; радиатор; CAS Latency (CL): 16.

Модуль памяти eXceleram DDR4 8GB 3200MHz (E40832A) - 1 модуль памяти DDR4; объем памяти: 8 GB; частота шины: 3200 MHz; латентность (тайминги): CL16.

Модуль памяти Geil DDR4 4GB 2400MHz (GN44GB2400C16S) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 4 Гб; CAS Latency (CL): 16; 1.2 В.

Модуль памяти G.Skill DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GNS) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; 1.2 В.

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 16GB 3000MHz (F4-3000C16D-16GISB) - DDR4; 16 ГБ; 2 x 8 ГБ; 3000 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18; 1.2 В; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Black.

Модуль памяти Patriot DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (PSD48G240081S) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Kingston DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (KVR26N19S8/8) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти eXceleram DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (E41632AD) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 3200 МГц (25600 МБ/с); тайминги: CL16; питание: 1.35 В.

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GIS) - DIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15-35; 1.2 В; поддержка XMP; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Black.

Модуль памяти Samsung DDR4 ECC 16Gb 2133MHz (M393A2G40DB0-CPB00) - DIMM DDR4 ECC; 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2133 МГц; CL15; 1.2 В; количество микросхем на планке: 36; тип микросхем: 2Gx72; двусторонняя; количество ранков: 2; буферизованная (Registered).

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V Gunmetal Gray DDR4 16Gb 3200MHz (F4-3200C16D-16GVGB) - DIMM DDR4; 16 ГБ; 2 х 8 ГБ; 3200 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38; 1.35 В; поддержка XMP; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Gray.

Модуль памяти Hynix DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (HMA851U6AFR6N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (HMA81GU6AFR8N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5143EB1-CRC) - тип памяти:SoDIMM DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В; габариты: 30x3.7x69.6 мм.

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V Classic Black DDR4 16Gb 3200MHz (F4-3200C16S-16GVK) - DDR4; DIMM 288-контактный; 3000 МГц; 24000 Мб/с; 1 модуль 16 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; 1.35 В; радиатор.

Модуль памяти HP DDR4 ECC 8Gb 2400MHz (805347-B21) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; поддержка ECC; буферизованная (Registered); CAS Latency (CL): 17; RAS to CAS Delay (tRCD): 17; Row Precharge Delay (tRP): 17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 32GB (2x16GB) 3200 MHz Trident Z G.Skill (F4-3200C16D-32GTZ)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRC) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти G.Skill Trident Z DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-16GTZKW) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 3200 МГц (25600 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: 16-18-18-38; питание: 1.35 В; XMP (Xtreme Memory Profiles).

Модуль памяти G.Skill Trident Z DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-16GTZB) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 3200 МГц (25600 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.35 В; XMP (Xtreme Memory Profiles); дополнительно: unbuffered, non-ECC.

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 32GB (2x16GB) 3200 MHz Trident Z G.Skill (F4-3200C16D-32GTZKW)

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 32GB (2x16GB) 3200 MHz Ripjaws V G.Skill (F4-3200C16D-32GVK)

Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GR2400S464L17S/4G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Patriot DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (PSD44G240041H) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) - DIMM DDR4; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Geil Original DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (GN48GB2400C16S) - DIMM; DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-16-16-36; 1.2V.

Модуль памяти G.Skill Trident Z RGB DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-16GTZR) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 8 ГБ; тактовая частота: 3200 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38-2N; рабочее напряжение: 1.35 В; поддержка XMP; особенности: подсветка, с охлаждением (радиатор); тип подсветки: регулируемая RGB; цвет радиатора: Black. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Goodram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GR2400D464L17S/4G) - объем памяти: 4 ГБ; тип памяти: DDR4 SDRAM; напряжение питания: 1.2 В; частота памяти: 2400 МГц; эффективная пропускная способность: 19200 МБ/с; схема таймингов памяти: CL-17; количество планок: 1; назначение: для настольных ПК; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.Skill SoDIMM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (F4-2400C16S-8GRS) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: SODIMM 260-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 8 Гб; поддержка XMP; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 16; Row Precharge Delay (tRP): 16; Activate to Precharge Delay (tRAS): 39; напряжение питания: 1.2 В. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.Skill Trident Z DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-16GTZSW) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 3200 МГц (25600 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: 16-18-18-38; питание: 1.35 В; XMP (Xtreme Memory Profiles).