Оперативная память

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц (M378B5173CB0-CK0)

1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц (M378B5173QH0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDimm 1x4Gb 1600Mhz (M471B5173QH0-YK0) - для ноутбуков (SoDimm); DDR3L; 1x4Gb; 1600Mhz; CL11; 1.35 В.

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL9, рабочее напряжение: 1.35 В (HMT451S6BFR8A-PB)

Модуль памяти Samsung Original DDR3 SoDIMM 4Gb 1600GHz (M471B5173EB0-YK0) - DDR3; 4 Г; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (M471B5173DB0-YK0) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В/1.5

Модуль памяти Samsung DDR3 4Gb 1600MHz (M378B5173EB0-YK0) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 512Mx4; упаковка микросхем: односторонняя; количество ранков: 1.

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (HMT451S6DFR8A-PB) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.

Модуль памяти Hynix DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600Mhz (HMT351U6CFR8C-PB) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; CAS Latency (CL): CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; рабочее напряжение: 1.5 В.

Модуль памяти Hynix DDR3L 4GB 1600 MHz - Тип памяти - DDR3, объем памяти - 4 GB, количество модулей в наборе - 1, частота памяти - 1600 MHz, тайминги - CL11, напряжение - 1.35V (HMT451U6DFR8A-PBN/HMT451U6BFR8A-PB)

Тип памяти - DDR3, Объем памяти - 4 GB, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 1600 MHz, CL11, Напряжение - 1.5 V

Тип памяти - DDR3, Объем памяти - 4 GB, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 1600 MHz, CL11, Напряжение - 1.35 V

Модуль памяти MICRON DDR3 SoDIMM 1600MHz 4Gb 1.35v (MT8KTF51264HZ-1G6E1)

Модуль памяти DDR3 SO-DIMM Samsung 1600 4Gb C11 1.35v (M471B5173CB0-YK0)

пам'ять Micron 4GB DDR3 1333MHz CL9 (MT16JTF51264AZ-1G4M1)

пам'ять MICRON 4GB DDR3L 1600 MHz (MT8KTF51264AZ-1G6P1)

Модуль памяти Golden Memory DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16LN11/4) - тип: для ПК; тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 ГБ; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.35 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR2 SoDIMM 2Gb (1x2Gb) 800MHz (GM800D2S6/2G) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR2; объём памяти: 2 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 800 МГц; CAS Latency (CL): CL6; рабочее напряжение: 1.8 В.

Модуль памяти Hynix DDR3, 2GB, 1333MHz, PC3-10600, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение 1,5 В (HMT325U6BFR8C)

SODIMM 2G DDR3 1600MHz GOLDEN MEMORY 1.35V (box) (GM16LS11/2)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC (M378B5173DB0-CK0)

Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800 (HMT451U6BFR8C-PB)

Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, CL11 (HMT451U6AFR8C-PB)

Модуль памяти Samsung Original DDR3 4GB, 1600GHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173EB0-CK0)

DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, 1600 MHz, CL11, 1.35 V, нет

Модуль памяти Micron (Crucial) 4GB DDR3 1600MHz (MT16JTF51264AZ-1G6M1)

Модуль памяти DDR3 4GB 1600MHz MICRON (MT8JTF51264AZ-1G6E1)

Пам'ять Elpida 4GB DDR3L 1600 MHz (EBJ40UG8EFW0-GN-F)

Модуль пам'яті Arktek DRAM DDR3 4Gb 1600 MHz 1,5V, CL-10 (AKD3S4P1600)