Оперативная память

Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (PSD34G1600L2S) - DDR3L; SODIMM 204-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 4 Гб; CAS Latency (CL): 11; 1.35 В; количество ранков: 2.

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

Пам'ять MICRON 4 GB SO-DIMM DDR3 1600 MHz (MT16JTF51264JHZ-1G6M2)

Модуль памяти G.SKILL Original Value Series - NT DDR3, 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (F3-10600CL9S-4GBNT)

Модуль памяти Golden Memory DDR3 4Gb (1x4Gb) 1333Mhz (GM1333D3N9/4G) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1333 МГц; CAS Latency (CL): CL9; рабочее напряжение: 1.5 В.

Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1333MHz (PSD34G13332S) - DDR3; SoDIMM 204-контактный; 1333 МГц; пропускная способность: 10600 Мб/с; 1 модуль 4 Гб; CAS Latency (CL): 9; количество чипов каждого модуля: 8; двусторонняя упаковка; 1.5V; количество ранков: 2.

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (F4-2400C17S-4GIS) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9 (E30802S)

Модуль памяти DDR3 4GB 1600 MHz G.Skill (F3-1600C11S-4GNT) PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка

Модуль памяти Golden Memory DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GM24N17S8/4) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В.

Оперативная память Crucial 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (CT51264BF1339J); PC3-10600; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,35 В

Модуль памяти Samsung 4GB SO-DIMM DDR3 1600MHz (M471B5273CH0-CK0)

Форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR3; Объем памяти: 4 GB; Тактовая частота: 1600 MHz; CAS Latency (CL): CL11; Рабочее напряжение: 1.5 В; Количество модулей в комплекте: 1 (HMT351S6CFR8C-PB)

Модуль памяти Crucial CT51264BF1339 - тип: для ноутбуков; тип памяти: DDR3; объем памяти: 4ГБ; частота (пропускная способность): 1333МГц (10660МБ/с); тайминги: CL 9 (CT51264BF1339)

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org (HMT351S6EFR8C-PB)

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org (HMT451S6MFR8C-PB)

Модуль памяти Samsung SoDIMM DDR3 4GB 1600MHz (M471B5173BH0-CK0)

Модуль памяти Crucial DDR3 SO-DIMM 1333 4Gb C9 1.5v (CT51264BC1339)

Модуль памяти Hynix DDR3 SO-DIMM 4Gb 1333 C9 1.5v (HMT351S6CFR8C-H9)

Пам'ять DDR3 SO-DIMM MICRON 1333 4Gb C9 1.35v - (MT16KTF51264HZ-1G4M1)

Модуль памяти DDR3 SO-DIMM Samsung 1600 4Gb C11 1.35v (M471B5273CH0-YK0)

Модуль памяти DDR3 SO-DIMM MICRON 1333 4Gb C9 1.5v (MT16JSF51264HZ-1G4D1)

пам'ять DDR3L SO-DIMM Samsung 1600 4Gb C11 ( M471B5273EB0-YK0 ) (M471B5273EB0-YK0)

Пам'ять MICRON 4 GB SO-DIMM DDR3L 1600 MHz (MT8KTF51264HZ-1G6E2)

пам'ять DDR3 SO-DIMM Ramaxel 1600 4Gb C11 (RMT3160ED58E9W-1600)

Память Micron 4GB DDR3L 1333 MHz (MT16KTF51264AZ-1G4M1)

Пам'ять Ramaxel 4Gb SO-DIMM DDR3L 1600 MHz (RMT3170MN68F9F-1600)

Память Ramaxel 4Gb SO-DIMM DDR3 1333 MHz (RMT3020EC58E9F-1333)

Модуль памяти DDR3 8GB/1600 Prologix (PRO8GB1600D3) (PRO8GB1600D3)

Модуль памяти SO-DIMM DDR3 8GB/1600 Prologix (PRO8GB1600D3S) (PRO8GB1600D3S)