Оперативная память

Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 1600MHz (M378B1G73EB0-YK0) - DIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 16; тип микросхем: 1Gx64; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.

Модуль памяти Micron Ballistix Sport LT White DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (BLS8G4D240FSCK) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); наличие радиатора: есть; тайминги: CL16; питание: 1.2 В; XMP (Xtreme Memory Profiles): есть.

Модуль памяти MICRON DDR3 1600 8Gb C11 1.5v (MT16JTF1G64AZ-1G6E1)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2133Mhz (M471A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2133 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-15-15; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (M378A5244CB0-CTD) - тип: DDR4, DIMM, 288-контактная; объем: 16 Гб; тактовая частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 Мб/с; ранки и чипы ранков: 2; напряжение питания: 1.2 В; тайминги: CL 19.

Пам'ять MICRON 4 GB DDR4 2666 MHz (MTA4ATF51264AZ-2G6E1)

Пам'ять Hynix 4GB DDR4 2666 MHz (HMA851U6DJR6N-VK)

Память Hynix 8GB DDR3 1600MHz OEM (HMT41GU6MFR8C-PB) (HMT41GU6MFR8C-PB OEM)

ATRIA UAT31600CL11K1/8 модуль пам'яті 8Gb DDR3 1600MHz UAT31600CL11K1/8 (UAT31600CL11K1/8)

Модуль памяти Hynix DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (HMA851S6CJR6N-UH) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Hynix 4GB SO-DIMM DDR4 2133 MHz (HMA451S6AFR8N-TF)

Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10600, CL9, 1 планка

Модуль памяти Hynix 4GB, SO-DIMM DDR3, 1333MHz, PC3-10666, штатные тайминги: CL9, рабочее напряжение: 1,5 B (HMT351S6BFR8C-H9)

Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1333 MHz Samsung (M471B5273DH0-YH9JP)

Модуль памяти Hynix DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (HMA851U6AFR6N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти DDR3 SO-DIMM SAMSUNG 1333 4Gb C11 1.5v (M471B5273DH0-CH9)

Модуль памяти Samsung 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (M471B5273CH0-CH9)

Модуль памяти Samsung 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (M471B5273BH1-CH9)

Модуль памяти Samsung 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (M471B5273CM0-CH9)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (M471A2K43BB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Оперативная память Crucial 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (CT51264BF1339J); PC3-10600; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,35 В

Модуль памяти Samsung 4GB SO-DIMM DDR3 1600MHz (M471B5273CH0-CK0)

Форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR3; Объем памяти: 4 GB; Тактовая частота: 1600 MHz; CAS Latency (CL): CL11; Рабочее напряжение: 1.5 В; Количество модулей в комплекте: 1 (HMT351S6CFR8C-PB)

Модуль памяти Crucial CT51264BF1339 - тип: для ноутбуков; тип памяти: DDR3; объем памяти: 4ГБ; частота (пропускная способность): 1333МГц (10660МБ/с); тайминги: CL 9 (CT51264BF1339)

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org (HMT351S6EFR8C-PB)

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org (HMT451S6MFR8C-PB)

Модуль памяти Samsung SoDIMM DDR3 4GB 1600MHz (M471B5173BH0-CK0)

Модуль памяти Crucial DDR3 SO-DIMM 1333 4Gb C9 1.5v (CT51264BC1339)

Модуль памяти Hynix DDR3 SO-DIMM 4Gb 1333 C9 1.5v (HMT351S6CFR8C-H9)