Оперативная память
Код товара: 252-028
Есть в наличииМодуль памяти Patriot Signature SoDIMM DDR3 8Gb 1600MHz (PSD38G16002S) - SoDIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; 1.5 В; количество микросхем на планке: 16; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.
Код товара: 391-150
Есть в наличии
Модуль памяти PATRIOT DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 1 планка (PSD38G16002)
Код товара: 574-120
Есть в наличии
Модуль памяти DDR4 8GB/2666 Dato (DT8G4DLDND26) (DT8G4DLDND26)
Код товара: 520-676
Есть в наличии
Модуль памяти AMD Radeon R7 Perfomance 4Gb DDR4 2666MHz (R744G2606U1S-U)
Код товара: 573-143
Есть в наличии
Модуль памяти DDR4 8GB/2400 Dato (DT8G4DLDND24)
Код товара: 430-250
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2133Mhz (M471A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2133 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-15-15; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.
Код товара: 486-479
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (M378A5244CB0-CTD) - тип: DDR4, DIMM, 288-контактная; объем: 16 Гб; тактовая частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 Мб/с; ранки и чипы ранков: 2; напряжение питания: 1.2 В; тайминги: CL 19.
Код товара: 595-682
Есть в наличии
Пам'ять MICRON 4 GB DDR4 2666 MHz (MTA4ATF51264AZ-2G6E1)
Код товара: 595-683
Есть в наличии
Пам'ять Hynix 4GB DDR4 2666 MHz (HMA851U6DJR6N-VK)
Код товара: 611-043
Есть в наличии
Память Hynix 8GB DDR3 1600MHz OEM (HMT41GU6MFR8C-PB) (HMT41GU6MFR8C-PB OEM)
Код товара: 408-958
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (PSD34G1600L81) - DDR3; 4Гб; 1х4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35V.
Код товара: 463-599
Есть в наличии
Модуль памяти Apacer DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (DG.04G2K.KAM) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.35 В.
Код товара: 485-437
Есть в наличии
Модуль памяти Apacer DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (DV.04G2K.KAM) - назначение: для ноутбуков; объем памяти: 4 ГБ; количество планок: 1; форм-фактор памяти: SoDIMM; тип оперативной памяти: DDR3; частота: 1600 МГц; пропускная способность: 12800 МБ/c; тайминги: CL11; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); напряжение питания: 1.35 В.
Код товара: 246-277
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц
Код товара: 561-127
Есть в наличии
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, 2666 MHz, CL19-19-19, 1.2 V
Код товара: 464-163
Есть в наличии
Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GR2400S464L17S/4G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 481-009
Есть в наличии
Модуль памяти GoodRam DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (GR2666D464L19S/4G) - тип: для ПК; тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 ГБ; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.
Код товара: 456-645
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (GM16N11/8) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.5 В.
Код товара: 497-941
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR4 4GB 2400MHz - тип памяти: DDR 4; объем памяти: 4GB; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL15; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; non-ECC; unbuffered; без охлаждения; поставка возможна в ОЕМ-версии (E47033A)
Код товара: 184-744
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка (F3-1600C11S-8GNT)
Код товара: 254-810
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц
Код товара: 392-673
Есть в наличии
Модуль памяти Silicon Power DDR3 8GB 1600MHz (SP008GLLTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 8 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.
Код товара: 545-740
Есть в наличии
Модуль памяти DDR4 4GB 2666 MHz eXceleram (E404266B)
Код товара: 565-977
Есть в наличии
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22-22-22, 1.2 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, 120 месяцев
Код товара: 446-304
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (M471A5143EB0-CPB) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.
Код товара: 461-326
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRC) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 474-076
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (HMA851U6CJR6N-VKN0) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.
Код товара: 525-557
Есть в наличии
Модуль памяти SAMSUNG SoDIMM DDR4 2666MHz 4GB (M471A5244CB0-CTD)
Код товара: 547-301
Есть в наличии
Оперативная память Hynix SO-DIMM DDR4 4ГБ 2400 МГц, CL17, 1.2 В (HMA851S6AFR6N-UH)
Код товара: 552-822
Есть в наличии
Модуль памяти SO-DIMM 4GB/2666 DDR4 Hynix (HMA851S6JJR6N-VK)
Доставка товаров в следующие города: Киев, Харьков, Одесса, Львов, Днепропетровск, Николаев, Полтава, Ровно, Сумы, Тернополь, Ивано-Франковск, Кировоград, Херсон, Хмельницкий, Черкассы, Чернигов, Черновцы, Винница, Луцк, Житомир, Запорожье, Ужгород.
