Оперативная память

Модуль памяти Micron DDR3 1333 2Gb C9 (MT8JTF25664AZ-1G4D1)

Оперативная память Micron DDR3 2Gb 1600MHz PC3 1Rx16 12800U CL11 (MT4JTF25664AZ-1G6E1)

Память Samsung 2GB SO-DIMM DDR3 1600MHz (M471B5773CHS-CK0)

Память Hynix 2GB DDR3 1066 MHz (HMT125U6BFR8C-G7)

Модуль пам'яті DDR4 16GB (2x8GB) 3200 Corsair Vengeance LPX C16-18-18-36 набір з 2-х модулів (CMK16GX4M2E3200C16)

Модуль памяти Hynix DDR2 2GB, 800MHz, PC2-6400, штатные тайминги: CL6, рабочее напряжение: 1,8 В (HYMP125U64CP8-S6)

Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) - DIMM DDR4; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Samsung DDR4 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (M378A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Hynix DDR4-2133 4096MB PC4-17000 (HMA451U6AFR8N-TF)

Hynix 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz OEM HMT351S6CFR8C-G7 (HMT351S6CFR8C-G7)

Corsair DDR5, 6400MT/s 64GB 2x32GB DIMM, Unbuffered, 32-40-40-84, Std PMIC, XMP 3.0, VENGEANCE DDR5 Black Heatspreader, 1.4V, EAN:0840006661788 (CMK64GX5M2B6400C32)

Модуль памяти DDR5 2x16GB/6400 Corsair Vengeance Black (CMK32GX5M2B6400C32) (CMK32GX5M2B6400C32)

Corsair DDR5, 6000MT/s 32GB 2x16GB DIMM, Unbuffered, 30-36-36-76, Std PMIC, XMP 3.0, VENGEANCE RGB DDR5 White Heatspreader, RGB LED, 1.4V EAN: 0840006677109 (CMH32GX5M2B6000C30W)

Оперативная память Axiom 8GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (102464Z11D313811)

Модуль памяти Hynix DDR3 So-DIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (HMT41GS6MFR8C-PB)

Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb 2133MHz (M378A1G43EB1-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 8GB 2133MHz (HMA41GU6AFR8N-TF) - DDR4; 8 Гб; количество модулей в комплекте: 1; 2133 МГц.

Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (M378A1K43CB2-CRC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Crucial DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (CT8G4SFS8266) - тип: оперативная память; тип памяти: DDR4; суммарный объем памяти всего комплекта: 8 ГБ; объем одного модуля памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; частота: 2666 МГц; пропускная способность: PC21300; CAS Latency (CL): 19; напряжение питания: 1.2 В.

Модуль памяти для ноутбука SAMSUNG 8GB 2666Mhz DDR4 1.2v SODIMM (M471A1K43CB1-CTD)

Модуль памяти Hynix 8Gb SO-DIMM DDR4 2400MHz 1.2 V (HMA81GS6MFR8N-UH)

MICRON 8 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (MTA8ATF1G64HZ-2G6D1)

Память MICRON DDR4 2400 8Gb C17 (MTA8ATF1G64AZ-2G3B1) 1.2v (MTA8ATF1G64AZ-2G3B1)

Память Samsung DDR3L-1600 8GB SO-DIMM PC3-12800 (M471B1G73BH0-YK0)

пам'ять SO-DIMM DDR4 8GB Hynix (HMA81GS6DJR8N-VK) 2666 MHz, CL18, 1.2 V (HMA81GS6DJR8N-VK)

Модуль памяти Micron 8GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (MTA8ATF1G64HZ-2G6E1)

Пам'ять ноутбука Crucial DDR4 8GB 2666 (CT8G4SFRA266)

пам'ять Hynix DDR3L SO-DIMM 1866 8Gb C11 (HMT41GS6BFR8A-RD)

Samsung 8GB UDIMM DDR4-3200 PC4-3200AA 1Rx16 260-Pin (M378A1G44CB0-CWE)

Память Micron 8 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (MTA8ATF1G64HZ-2G6E3)