Оперативная память

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRCD0) - назначение: для ноутбука; тип памяти: DDR4; количество модулей памяти в наборе: 1 шт.; емкость памяти: 4 Гб; максимальная рабочая частота: 2400 МГц; напряжение питания: 1.2 В; вес: 10 г.

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V DDR4 8Gb (2x4Gb) 2400MHz (F4-2400C15D-8GVR) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 4 ГБ; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15-35; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: красный. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 16Gb (2x8Gb) 2400MHz (F4-2400C17D-16GIS) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 8 ГБ; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.

Модуль памяти G.Skill Value DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (F4-2400C17S-4GNT) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Geil Evo X RGB DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (GEXB416GB3200C16ADC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 8 ГБ; тактовая частота: 3200 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-16-16-36; рабочее напряжение: 1.35 В; поддержка XMP; особенности: подсветка, с охлаждением (радиатор); тип подсветки: регулируемая RGB; цвет радиатора: чёрный. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти eXceleram DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (E408247S) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 260-pin SoDIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти eXceleram Black Kudos DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (EKBLACK3081611LA) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC3-12800; частота памяти: 1600MHz; тайминги: CL11; напряжение: 1.35V; форм-фактор памяти: 240-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered; охлаждение: + радиатор. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти eXceleram Black Kudos DDR3 16Gb (2x8Gb) 1600MHz (EKBLACK3161611LAD) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 16Gb; количество модулей в наборе: 2; стандарты памяти: PC3-12800; частота памяти: 1600MHz; тайминги: CL11; напряжение: 1.35V; форм-фактор памяти: 240-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered; охлаждение: + радиатор. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16LS11/4) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC3-12800; частота памяти: 1600 МГц; напряжение: 1.35V; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти Lenovo ThinkSystem DDR4 ECC 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (7X77A01303) - тип: DDR4; объем: 16 ГБ; количество планок в комплекте: 1 шт.; частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 МБ/с; число рангов: двухранговая (Dual Rank); ECC; буферизация: Registered.

Модуль памяти Samsung DDR4 ECC 32Gb (1x32Gb) 2666MHz (M393A4K40CB2-CTD) - объем памяти: 32 Гб; тип памяти: DDR4 ECC Registered; частота памяти: 2666 МГц; стандарт памяти: DDR4-2666; тайминги: 17-17-17-40; количество планок: 1; высота: обычная; назначение: четырехканальные чипсеты C612; применение: серверы; напряжение питания: 1.2 В.

Модуль памяти Patriot DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (PSD44G240082S) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V DDR4 8Gb (2x4Gb) 2666MHz (F4-2666C15D-8GVR) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 4 ГБ; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15-35; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: красный. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти eXceleram DDR4 SoDIMM 32Gb (2x16Gb) 2400MHz (E432247SD) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 32Gb; количество модулей в наборе: 2; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16LN11/4) - тип: для ПК; тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 ГБ; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.35 В.

Модуль памяти Geil DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (GN48GB2400C17S) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (GM16LS11/8) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR3L; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; CAS Latency (CL): CL11; рабочее напряжение: 1.35 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600Mhz (GM16LN11/8) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; рабочее напряжение: 1.35 В.

Модуль памяти Samsung DDR3 ECC 32Gb (1x32Gb) 1866MHz (M386B4G70DM0-CMA) - стандарт: DDR3; форм-фактор: DIMM; объем одного модуля: 32 ГБ; количество модулей в комплекте: 1 шт.; суммарный объем: 32 ГБ; эффективная частота: 1866 МГц; пропускная способность: 14900 Мб/с; поддержка ECC; буферизованная (регистровая); количество чипов на модуле: 36 шт.; количество контактов: 240; количество ранков: 4; CAS Latency (CL): 13; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30; напряжение питания: 1 В; нормальная операционная температура (Tcase): 85 dgr.C; расширенная операционная температура (Tcase): 95 dgr.C; компоновка чипов на модуле: двусторонняя; аадиатор; габариты: 133.35 x 30 мм; вес брутто: 50 г. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти AMD Radeon R3 Value DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (R322G805U2S-UG) - стандарт: DDR2; форм-фактор: DIMM; объем одного модуля: 2 ГБ; количество модулей в комплекте: 1 шт.; суммарный объем: 2 ГБ; эффективная частота: 800 МГц; пропускная способность: 6400 Мб/с; количество чипов на модуле: 16 шт.; количество контактов: 240; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; Activate to Precharge Delay (tRAS): 18; напряжение питания: 1.8 В; нормальная операционная температура (Tcase): 85 dgr.C; расширенная операционная температура (Tcase): 95 dgr.C; компоновка чипов на модуле: двусторонняя; вид поставки: OEM; габариты: 133.35 x 30 мм; вес брутто: 18 г. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.Skill Trident Z DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-16GTZSK) - назначение: для настольных компьютеров; объем: 16 ГБ; количество планок в комплекте: 2; тип: DDR4; стандарт: PC4-25600; эффективная частота: 3200 МГц; штатные тайминги: 16-18-18-38-2N; рабочее напряжение: 1.35 В; радиаторы; поддержка XMP; буферизация: Unbuffered; формфактор памяти: 288-pin DIMM; серия: TridentZ Series. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Golden Memory DDR3 4Gb (1x4Gb) 1333Mhz (GM1333D3N9/4G) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1333 МГц; CAS Latency (CL): CL9; рабочее напряжение: 1.5 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (GM24N17S8/8) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR2 SoDIMM 2Gb (1x2Gb) 800MHz (GM800D2S6/2G) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR2; объём памяти: 2 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 800 МГц; CAS Latency (CL): CL6; рабочее напряжение: 1.8 В.

Модуль памяти G.Skill DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (F4-2666C19S-8GNT) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; схема таймингов памяти: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.

Модуль памяти eXceleram DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (E416269A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2666MHz; тайминги: CL19; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти eXceleram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (E404269A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2666MHz; тайминги: CL19; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти Kingston ValueRAM DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (KVR26S19S8/8) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 8GB 2400 MHz Aegis G.Skill (F4-2400C17S-8GIS)

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 32Gb (2x16Gb) 3000MHz (F4-3000C16D-32GISB) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 32 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 16 ГБ; тактовая частота: 3000 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38; рабочее напряжение: 1.35 В; поддержка XMP; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный. ... развернутьсвернуть