Оперативная память Samsung

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRC) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти SAMSUNG SoDIMM DDR4 2666MHz 4GB (M471A5244CB0-CTD)

Модуль памяти Samsung 4GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz (M471A5244BB0-CRC)

SAMSUNG 32GB DDR5 4800Mhz ECC UDIMM (M324R4GA3BB0-CQK)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5143EB1-CRC) - тип памяти:SoDIMM DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В; габариты: 30x3.7x69.6 мм.

Пам'ять Samsung 4GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz - (M471A5143SB1-CRC)

Пам'ять SAMSUNG 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (M471B5273BH1-CF8)

Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) - DIMM DDR4; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Samsung DDR4 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (M378A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.

Пам'ять Samsung 16 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (M471A2K43EB1-CWE)

Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10600, CL9, 1 планка

Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1333 MHz Samsung (M471B5273DH0-YH9JP)

Модуль памяти DDR3 SO-DIMM SAMSUNG 1333 4Gb C11 1.5v (M471B5273DH0-CH9)

Модуль памяти Samsung 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (M471B5273CH0-CH9)

Модуль памяти Samsung 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (M471B5273BH1-CH9)

Модуль памяти Samsung 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (M471B5273CM0-CH9)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

3200 МГц, CL22, 1.2 В, ECC, Registered, 2Rx4

Модуль памяти Samsung 4GB SO-DIMM DDR3 1600MHz (M471B5273CH0-CK0)

Модуль памяти Samsung SoDIMM DDR3 4GB 1600MHz (M471B5173BH0-CK0)

Модуль памяти DDR3 SO-DIMM Samsung 1600 4Gb C11 1.35v (M471B5273CH0-YK0)

пам'ять DDR3L SO-DIMM Samsung 1600 4Gb C11 ( M471B5273EB0-YK0 ) (M471B5273EB0-YK0)

Модуль памяти Samsung DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173BH0-CK0)

Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10666, CL9, 1 планка (M378B5273DH0-CH9)

Модуль памяти Samsung DDR3, SO-DIMM, 4GB, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (M471B5273DH0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, 1.35V (M471B5173BH0-YK0)

Модуль памяти SODIMM 4G DDR3 1600MHz SAMSUNG Original 1.35V (M471B5273DH0-YK0)

Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz CL9 SAMSUNG 1,5V (M378B5273CH0-CH9)

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22, 1.2 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC