Оперативная память
Код товара: 430-252
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 1600MHz (M378B1G73EB0-YK0) - DIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 16; тип микросхем: 1Gx64; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.
Код товара: 435-150
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 4Gb 1600MHz (M378B5173EB0-YK0) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 512Mx4; упаковка микросхем: односторонняя; количество ранков: 1.
Код товара: 459-543
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (KVR26N19S8/8) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.
Код товара: 459-544
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (KVR26N19D8/16) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 1х16 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.
Код товара: 460-823
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5143EB1-CRC) - тип памяти:SoDIMM DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В; габариты: 30x3.7x69.6 мм.
Код товара: 449-045
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) - DIMM DDR4; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество ранков: 1.
Код товара: 461-326
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRC) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 464-230
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRCD0) - назначение: для ноутбука; тип памяти: DDR4; количество модулей памяти в наборе: 1 шт.; емкость памяти: 4 Гб; максимальная рабочая частота: 2400 МГц; напряжение питания: 1.2 В; вес: 10 г.
Код товара: 471-409
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (M378A1K43CB2-CRC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В.
Код товара: 473-854
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 ECC 32Gb (1x32Gb) 2666MHz (M393A4K40CB2-CTD) - объем памяти: 32 Гб; тип памяти: DDR4 ECC Registered; частота памяти: 2666 МГц; стандарт памяти: DDR4-2666; тайминги: 17-17-17-40; количество планок: 1; высота: обычная; назначение: четырехканальные чипсеты C612; применение: серверы; напряжение питания: 1.2 В.
Код товара: 482-749
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (M471A1K43CB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.
Код товара: 484-461
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 ECC 32Gb (1x32Gb) 1866MHz (M386B4G70DM0-CMA) - стандарт: DDR3; форм-фактор: DIMM; объем одного модуля: 32 ГБ; количество модулей в комплекте: 1 шт.; суммарный объем: 32 ГБ; эффективная частота: 1866 МГц; пропускная способность: 14900 Мб/с; поддержка ECC; буферизованная (регистровая);
количество чипов на модуле: 36 шт.; количество контактов: 240; количество ранков: 4; CAS Latency (CL): 13; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30; напряжение питания: 1 В; нормальная операционная температура (Tcase): 85 dgr.C; расширенная операционная температура (Tcase): 95 dgr.C; компоновка чипов на модуле: двусторонняя; аадиатор; габариты: 133.35 x 30 мм; вес брутто: 50 г. ... развернутьсвернуть
Код товара: 486-478
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (M378A2K43CB1-CTD) - объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота:: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.
Код товара: 486-479
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (M378A5244CB0-CTD) - тип: DDR4, DIMM, 288-контактная; объем: 16 Гб; тактовая частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 Мб/с; ранки и чипы ранков: 2; напряжение питания: 1.2 В; тайминги: CL 19.
Код товара: 487-443
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston ValueRAM DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (KVR26N19S6/4) - тайминги: CL19; стандарт памяти: PC4-21300; частота памяти: 2666 МГц; тип оперативной памяти: DDR4; объем одного модуля: 4Gb; количество модулей в комплекте: 1; номинальное напряжение: 1.2В.
Код товара: 490-938
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston ValueRAM DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (KVR26S19S8/8) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.
Код товара: 492-534
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (KVR26S19D8/16) - применение: для ноутбуков; объем памяти комплекта: 16 ГБ; количество планок в комплекте: 1 шт.; форм-фактор памяти: DIMM; тип памяти: DDR4.
Код товара: 496-728
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston KCP426SS8/8 - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8GB; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: KCP; частота памяти: 2666MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 260 Pin SoDIMM Non-ECC (KCP426SS8/8)
Код товара: 496-986
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston KCP426SD8/16 - тип: DDR4 (260pin) SO-DIMM; объем: 16GB; частота: 2666MHz (PC4-2666); контроль партности: Non-ECC; буферизация: Unbuffered; напряжение: Standard (1.2V) (KCP426SD8/16)
Код товара: 499-655
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung M471A1K43BB1-CRC - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR4; объём памяти: 8ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400МГц; CAS-задержка: CL17; формула таймингов: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2В; количество ранков: 1 (M471A1K43BB1-CRC)
Код товара: 499-877
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung M471B5173DBO-YKO - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR3L; объём памяти: 4ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600МГц; рабочее напряжение: 1.35В; количество ранков: 1 (M471B5173DBO-YKO)
Код товара: 499-882
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung M378B5173QHO-CKO - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600МГц; CAS-задержка: CL11; рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173QHO-CKO)
Код товара: 525-374
Есть в наличии
Модуль памяти SAMSUNG 16GB DDR4 2666Mhz SODIMM (M471A2K43CB1-CTD)
Код товара: 532-934
Есть в наличии
SODIMM 32G DDR4 2666MHz SAMSUNG Original (M471A4G43MB1-CTD)
Код товара: 539-840
Есть в наличии
Модуль памяти DDR4 32GB 3200 Samsung original C22 (M378A4G43AB2-CWE)
Код товара: 546-074
Есть в наличии
Модуль памяти SO-DIMM DDR4 16GB 3200 Samsung C22 (M471A2K43DB1-CWE)
Код товара: 549-106
Есть в наличии
Модуль памяти SO-DIMM DDR4 8GB 3200 Samsung C22 (M471A1K43EB1-CWE)
Код товара: 555-992
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung 16 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (M471A2K43DB1-CTD)
Код товара: 557-303
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DRAM 64GB DDR4 RDIMM 3200MHz, 1.2V, (4Gx4)x36, 2R x 4 (M393A8G40AB2-CWE)
Код товара: 557-461
Есть в наличии
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, 2666 MHz, CL16, 1.2 V, нет
Доставка товаров в следующие города: Киев, Харьков, Одесса, Львов, Днепропетровск, Николаев, Полтава, Ровно, Сумы, Тернополь, Ивано-Франковск, Кировоград, Херсон, Хмельницкий, Черкассы, Чернигов, Черновцы, Винница, Луцк, Житомир, Запорожье, Ужгород.