Оперативная память Hynix

Пам'ять Hynix 8GB SO-DIMM DDR3L 1600 MHz ECC (HMT41GA7AFR8A-PB)

DDR3 8G 1600Mhz HYNIX Org 1.35V (HMT41GU6DFR8A-PB)

Модуль памяти Hynix DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600Mhz (HMT41GU6BFR8C-PB) - DDR3; DIMM 240-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; количество чипов каждого модуля: 16; двусторонняя упаковка; 1.5 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (HMA81GU6AFR8N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти HYNIX SO-DIMM DDR4 8GB 2133MHZ CL15 1.2V (HMA41GS6AFR8N-TF)

Модуль памяти DDR3 8GB 1600 MHz Hynix 1,35V (HMT41GU6BFR8A-PB)

Пам'ять Hynix 8 GB DDR3 1600 MHz - (HMT41GU6AFR8C-PB)

Модуль памяти Hynix DDR3 SO-DIMM 1600 8Gb C11 - (HMT41GS6DFR8A-PB)

Модуль памяти Hynix Original DDR3 8Gb PC3 -12800 CL11 1600MHz (HMT41GU6MFR8C-PB)

Пам'ять Hynix 4GB DDR4 2666 MHz (HMA851U6DJR6N-VK)

Модуль памяти Hynix DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (HMA851U6CJR6N-VKN0) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Оперативная память Hynix SO-DIMM DDR4 4ГБ 2400 МГц, CL17, 1.2 В (HMA851S6AFR6N-UH)

Модуль памяти SO-DIMM 4GB/2666 DDR4 Hynix (HMA851S6JJR6N-VK)

пам'ять Hynix 4 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMA851S6CJR6N-XN)

Память Hynix 4GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (HMT351S6AFR8C-G7)

Модуль памяти Hynix DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (HMA851S6CJR6N-UH) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Hynix 4GB SO-DIMM DDR4 2133 MHz (HMA451S6AFR8N-TF)

Модуль памяти Hynix DDR4-2133 4096MB PC4-17000 (HMA451U6AFR8N-TF)

Hynix 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz OEM HMT351S6CFR8C-G7 (HMT351S6CFR8C-G7)

Модуль памяти Hynix 4GB, SO-DIMM DDR3, 1333MHz, PC3-10666, штатные тайминги: CL9, рабочее напряжение: 1,5 B (HMT351S6BFR8C-H9)

Модуль памяти Hynix DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (HMA851U6AFR6N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR3; Объем памяти: 4 GB; Тактовая частота: 1600 MHz; CAS Latency (CL): CL11; Рабочее напряжение: 1.5 В; Количество модулей в комплекте: 1 (HMT351S6CFR8C-PB)

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org (HMT351S6EFR8C-PB)

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org (HMT451S6MFR8C-PB)

Модуль памяти Hynix DDR3 SO-DIMM 4Gb 1333 C9 1.5v (HMT351S6CFR8C-H9)

Модуль памяти Hynix DDR3 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (HMT351U6BFR8C-H9)

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (HMT351S6EFR8A-PB) - набор: 1 модуль; объем: 4 Гб; тип: DDR3 SO-DIMM; частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; тайминги: 11-11-11; напряжение питания: 1.35 В; расположение чипов: двустороннее; число микросхем: 16; емкость микросхем: 2 Гбит; тип микросхем: 256Mx8.

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org 1.35V (HMT351S6CFR8A-PB)

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org 1.35V (HMT451S6AFR8A-PB)

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org (HMT451S6BFR8C-PB)