Оперативная память

Оперативная память; PC3-10666; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,5 В (CT51264BA1339)

Модуль памяти Hynix DDR3 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (HMT351U6BFR8C-H9)

Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10666, CL9, 1 планка (M378B5273DH0-CH9)

Модуль памяти Samsung DDR3, SO-DIMM, 4GB, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (M471B5273DH0-CK0)

Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Nanya (NT4GC64B8HG0NS-DI) 1600 MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 1 планка

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, 1.35V (M471B5173BH0-YK0)

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (HMT351S6EFR8A-PB) - набор: 1 модуль; объем: 4 Гб; тип: DDR3 SO-DIMM; частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; тайминги: 11-11-11; напряжение питания: 1.35 В; расположение чипов: двустороннее; число микросхем: 16; емкость микросхем: 2 Гбит; тип микросхем: 256Mx8.

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org 1.35V (HMT351S6CFR8A-PB)

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org 1.35V (HMT451S6AFR8A-PB)

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org (HMT451S6BFR8C-PB)

Модуль памяти SODIMM 4G DDR3 1600MHz SAMSUNG Original 1.35V (M471B5273DH0-YK0)

SO-DIMM 4GB/1866 DDR3L Micron (MT8KTF51264HZ-1G9P1) (MT8KTF51264HZ-1G9P1)

Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz CL9 SAMSUNG 1,5V (M378B5273CH0-CH9)

пам'ять SK Hynix 4GB DDR3 1333MHz 1.5В (HMT351U6CFR8C-H9)

Модуль памяти DDR3 SO-DIMM MICRON 1600 4Gb C11 (MT16JTF51264HZ-1G6M1)

Модуль памяти DDR3L 4GB 1600 C11 Hynix (HMT451U6DFR8A-PB)

DDR4, 32 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 3600 МГц, Тайминги - CL18, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - RGB

Corsair DDR5, 5600MT/s 48GB 2x24GB DIMM, Unbuffered, 40-40-40-77, XMP 3.0, VENGEANCE DDR5 Black Heatspreader, 1.25V, EAN:0840006665021 (CMK48GX5M2B5600C40)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC (M378B5173DB0-CK0)

Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800 (HMT451U6BFR8C-PB)

Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, CL11 (HMT451U6AFR8C-PB)

Модуль памяти Samsung Original DDR3 4GB, 1600GHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173EB0-CK0)

DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, 1600 MHz, CL11, 1.35 V, нет

Модуль памяти Micron (Crucial) 4GB DDR3 1600MHz (MT16JTF51264AZ-1G6M1)

Модуль памяти DDR3 4GB 1600MHz MICRON (MT8JTF51264AZ-1G6E1)

Пам'ять Elpida 4GB DDR3L 1600 MHz (EBJ40UG8EFW0-GN-F)

Модуль памяти Micron Crucial DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (CT4G4SFS824A) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5143EB1-CRC) - тип памяти:SoDIMM DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В; габариты: 30x3.7x69.6 мм.

Модуль памяти Crucial CT4G4SFS8266 - тип: для ноутбуков; тип памяти: DDR4; объем памяти: 4ГБ; количество модулей: 1х4ГБ; частота (пропускная способность): 2666МГц (21328МБ/с); наличие радиатора: нет; тайминги: CL19; питание: 1.2В; совместимость с Apple: нет; XMP (Xtreme Memory Profiles): нет (CT4G4SFS8266)

Пам'ять Samsung 4GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz - (M471A5143SB1-CRC)