Оперативная память

Память Crucial 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (CT51264BC1067)

Модуль памяти Samsung Semiconductor - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11 (M471B1G73DB0-YK0)

Модуль памяти SO-DIMM 8Gb DDR3 1600MHz Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 1.35В

Модуль памяти Kingston DDR3 SoDIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (KVR16LS11/8G)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (M471A1K43CB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Samsung M471A1K43BB1-CRC - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR4; объём памяти: 8ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400МГц; CAS-задержка: CL17; формула таймингов: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2В; количество ранков: 1 (M471A1K43BB1-CRC)

Модуль памяти DDR4 8GB 2666MHz Hynix original C19 (HMA81GU6JJR8N-VK)

Модуль памяти Hynix SO-DIMM 8GB/1600 DDR3L (HMT41GS6BFR8A-PB)

Модуль памяти SoDIMM DDR4 8GB HYNIX ORIGINAL 2400 MHz, CL17, 1.2V (HMA81GS6AFR8N-UH)

Модуль памяти SO-DIMM 8GB/2400 DDR4 Micron (MTA8ATF1G64HZ-2G3B1)

Модуль памяти DDR4 8GB 3200 Samsung original C22 (M378A1G44AB0-CWE)

Модуль памяти Samsung 8GB SO-DIMM DDR4 2133MHz (M471A1K43BB0-CPB)

пам'ять MICRON DDR3 SO-DIMM 1600 8Gb C11 1.35v (MT16KTF1G64HZ-1G6D1)

Модуль памяти Hynix 8 GB DDR3L 1600 MHz (HMT41GU6AFR8A-PB) 1,35V (HMT41GU6AFR8A-PB)

Модуль памяти Micron 8GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz (MTA8ATF1G64HZ-2G3E1)

Пам'ять Hynix 8GB SO-DIMM DDR3L 1600 MHz ECC (HMT41GA7AFR8A-PB)

Память для ноутбуков Ramaxel 8 GB SO-DIMM DDR3L 1600 MHz (RMT3160MP68FAF-1600)

Память Micron 8 GB DDR4 2133 MHz (MTA16ATF1G64AZ-2G1B1)

Corsair DDR4 VENGEANCE Series Memory Kit 3200MT/s, 16GB (2 x 8GB) SODIMM 3200MHz, 22-22-22-53, 1.2V (CMSX16GX4M2A3200C22)

Модуль памяти Samsung So-Dimm DDR3 8GB 1600MHz Original (M471B1G73EB0-YK0) - 1 модуль памяти DDR3; объем памяти: 8 GB; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.

Модуль памяти Micron Crucial DDR3 8Gb 1600MHz (CT102464BD160B) - DDR3; 8 Гб; 1х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.

Corsair DDR5, 6000MT/s 64GB 2x32GB DIMM, Unbuffered, 40-40-40-77, Std PMIC, AMD EXPO, VENGEANCE DDR5 Cool Grey Heatspreader, 1.35V, EAN:0840006601197 (CMK64GX5M2B6000Z40)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11 (M378B1G73QH0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (M378B1G73DB0-CK0) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.

Модуль памяти Hynix Original DDR3 8Gb PC3 -12800 CL11 1600MHz (HMT41GU6MFR8C-PB)

Corsair DDR5, 6000MT/s 32GB 2x16GB DIMM, Unbuffered, 40-40-40-77, Std PMIC, XMP 3.0, VENGEANCE DDR5 Black, 1.1V (CMK32GX5M2B6000C30)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

Пам'ять MICRON 4 GB SO-DIMM DDR3 1600 MHz (MT16JTF51264JHZ-1G6M2)

Corsair DDR5, 5200MT/s 48GB 2x24GB DIMM, Unbuffered, 38-38-38-84, XMP 3.0, VENGEANCE RGB DDR5 Black Heatspreader, RGB LED, 1.25V, EAN:0840006664970 (CMH48GX5M2B5200C38)

Модуль памяти Samsung DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173BH0-CK0)