Оперативная память

Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz Team (TED38G1600C11-S01) PC3-12800, CL11, 1 планка

Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: 9-9-9-24; рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1333C901)

Модуль памяти Team Elite SoDIMM DDR3 4Gb 1600MHz (TED34G1600C11-S01) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.5 В.

Модуль памяти Team Elite DDR3 SoDIMM 4GB 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V (TED3L4G1600C11-S01)

Модуль памяти Tem DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5 В (TED3L4G1600C1101)

Модуль памяти Team Elite DDR3, 8Gb, 1333MHz, CAS Latency (CL): CL9, PC3-10660 (TED38G1333C901)

Модуль памяти Team Elite U-DIMM DDR4 4Gb 2400MHz (TED44G2400C1601) - DDR4; 4 Гб; 1х4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.

Модуль памяти Team Elite DDR4 16Gb 2400MHz (TED416G2400C1601) - DDR4; 16 Гб; 2х8 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.

Модуль памяти Team Elite SoDIMM DDR4 4Gb 2400MHz (TED44G2400C16-S01) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.

Модуль памяти Team Elite DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,35 / 1,5 В

Модуль памяти Team DDR3 4GB 1600MHz PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1600C1101)

Модуль памяти Team Elite DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (TED3L8G1600C1101)

Модуль памяти Team Elite Plus Black DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1.5В (TPD38G1600HC1101)

Модуль памяти Team Elite DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2133MHz (TED48G2133C15-S01) - Форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2133 МГц; CAS Latency (CL): CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15-36; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Team Elite DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (TED48G2666C1901) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS-задержка: CL19; формула таймингов: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Team Elite TED416G2666C1901 - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666МГц; CAS-задержка: CL19; формула таймингов: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2В (TED416G2666C1901)

Модуль памяти Team Elite DDR4 16GB 3200MHz (TED416G3200C2201)

Модуль памяти Team Elite DDR4 8GB 3200MHz (TED48G3200C2201)

Модуль памяти DDR4 16GB 3200MHz Team T-Force Vulcan Z Gray (TLZGD416G3200HC16F01)

Модуль памяти DDR4 16GB 3200 Team Vulcan Z Red C16-18-18-38 (TLZRD416G3200HC16F01)

DDR4 2x16GB/3200 Team T-Force Vulcan Z Gray (TLZGD432G3200HC16FDC01)