Модуль памяти Hynix HMT325U6BFR8C-H9N0 - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 2ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1333МГц; CAS-задержка: CL9; рабочее напряжение: 1.5В (HMT325U6BFR8C-H9N0)
Модуль памяти Hynix DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600Mhz (HMT351U6CFR8C-PB) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; CAS Latency (CL): CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; рабочее напряжение: 1.5 В.
Memory Module CRUCIAL DDR5 Общий объём памяти 16Гб Module capacity 8Гб Количество 2 5600 МГц Множитель частоты шины 46 1.1 В CT2K8G56C46U5 (CT2K8G56C46U5)
Memory Module CRUCIAL DDR5 Общий объём памяти 16Гб Module capacity 8Гб Количество 2 5200 МГц Множитель частоты шины 42 1.1 В CT2K8G52C42U5 (CT2K8G52C42U5)
Модуль памяти Hynix DDR3L 4GB 1600 MHz - Тип памяти - DDR3, объем памяти - 4 GB, количество модулей в наборе - 1, частота памяти - 1600 MHz, тайминги - CL11, напряжение - 1.35V (HMT451U6DFR8A-PBN/HMT451U6BFR8A-PB)