Оперативная память
Код товара: 289-943
Есть в наличииМодуль памяти Samsung DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173BH0-CK0)
Код товара: 611-412
Есть в наличии
SAMSUNG 32GB DDR5 4800Mhz ECC RDIMM (M321R4GA3BB6-CQK)
Код товара: 320-039
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 SoDimm 1x4Gb 1600Mhz (M471B5173QH0-YK0) - для ноутбуков (SoDimm); DDR3L; 1x4Gb; 1600Mhz; CL11; 1.35 В.
Код товара: 369-675
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, 1.35V (M471B5173BH0-YK0)
Код товара: 375-107
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR3 SoDIMM 4Gb 1600GHz (M471B5173EB0-YK0) - DDR3; 4 Г; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.
Код товара: 204-536
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц (M378B5173CB0-CK0)
Код товара: 240-635
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3, SO-DIMM, 4GB, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (M471B5273DH0-CK0)
Код товара: 389-430
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung original DDR3, 2GB, 1600MHz, PC3-12800 (M378B5773QB0-CK0)
Код товара: 422-469
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb 2133MHz (M378A1G43EB1-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.
Код товара: 414-919
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2133MHz (M471A1G43DB0-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1x8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2V.
Код товара: 319-497
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц (M378B5173QH0-CK0)
Код товара: 324-681
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11 (M378B1G73QH0-CK0)
Код товара: 347-939
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц,
поддержка ECC (M378B5173DB0-CK0)
Код товара: 361-335
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (M378B1G73DB0-CK0) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.
Код товара: 369-672
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung SO-DIMM DDR3 2Gb 1600MHz (M471B5674QH0-YK0) - DDR3; 2 Гб; 1x2 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В / 1.5 В; вольтаж памяти зависит от партии поставки.
Код товара: 422-615
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 16Gb 2400MHz (M378A2K43BB1-CRC) - DDR4; 16 Гб; 1х16 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2 В.
Код товара: 422-616
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 16Gb 2133MHz (M471A2K43BB1-CPB) - DDR4; 16 Гб; 1x16 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.
Код товара: 376-026
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung SO-DIMM, DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (M471B1G73QH0-YK0)
Код товара: 384-568
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR3 4GB, 1600GHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173EB0-CK0)
Код товара: 430-250
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2133Mhz (M471A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2133 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-15-15; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.
Код товара: 441-004
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (M471A2K43BB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.
Код товара: 399-471
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 ECC 16Gb 2133MHz (M393A2G40DB0-CPB00) - DIMM DDR4 ECC; 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2133 МГц; CL15; 1.2 В; количество микросхем на планке: 36; тип микросхем: 2Gx72; двусторонняя; количество ранков: 2; буферизованная (Registered).
Код товара: 400-881
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung So-Dimm DDR3 8GB 1600MHz Original (M471B1G73EB0-YK0) - 1 модуль памяти DDR3; объем памяти: 8 GB; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.
Код товара: 419-753
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (M471B5173DB0-YK0) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В/1.5
Код товара: 446-304
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (M471A5143EB0-CPB) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.
Код товара: 452-859
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (M378A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.
Код товара: 460-823
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5143EB1-CRC) - тип памяти:SoDIMM DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В; габариты: 30x3.7x69.6 мм.
Код товара: 430-252
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 1600MHz (M378B1G73EB0-YK0) - DIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 16; тип микросхем: 1Gx64; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.
Код товара: 435-150
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 4Gb 1600MHz (M378B5173EB0-YK0) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 512Mx4; упаковка микросхем: односторонняя; количество ранков: 1.
Код товара: 449-045
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) - DIMM DDR4; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество ранков: 1.
Код товара: 461-326
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRC) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 463-599
Есть в наличии
Модуль памяти Apacer DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (DG.04G2K.KAM) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.35 В.
Код товара: 463-600
Есть в наличии
Модуль памяти Apacer DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (DG.08G2K.KAM) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.35 В.
Код товара: 464-230
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRCD0) - назначение: для ноутбука; тип памяти: DDR4; количество модулей памяти в наборе: 1 шт.; емкость памяти: 4 Гб; максимальная рабочая частота: 2400 МГц; напряжение питания: 1.2 В; вес: 10 г.
Код товара: 471-409
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (M378A1K43CB2-CRC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В.
Код товара: 473-854
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 ECC 32Gb (1x32Gb) 2666MHz (M393A4K40CB2-CTD) - объем памяти: 32 Гб; тип памяти: DDR4 ECC Registered; частота памяти: 2666 МГц; стандарт памяти: DDR4-2666; тайминги: 17-17-17-40; количество планок: 1; высота: обычная; назначение: четырехканальные чипсеты C612; применение: серверы; напряжение питания: 1.2 В.
Код товара: 482-749
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (M471A1K43CB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.
Код товара: 484-461
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 ECC 32Gb (1x32Gb) 1866MHz (M386B4G70DM0-CMA) - стандарт: DDR3; форм-фактор: DIMM; объем одного модуля: 32 ГБ; количество модулей в комплекте: 1 шт.; суммарный объем: 32 ГБ; эффективная частота: 1866 МГц; пропускная способность: 14900 Мб/с; поддержка ECC; буферизованная (регистровая);
количество чипов на модуле: 36 шт.; количество контактов: 240; количество ранков: 4; CAS Latency (CL): 13; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30; напряжение питания: 1 В; нормальная операционная температура (Tcase): 85 dgr.C; расширенная операционная температура (Tcase): 95 dgr.C; компоновка чипов на модуле: двусторонняя; аадиатор; габариты: 133.35 x 30 мм; вес брутто: 50 г. ... развернутьсвернуть
Код товара: 485-437
Есть в наличии
Модуль памяти Apacer DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (DV.04G2K.KAM) - назначение: для ноутбуков; объем памяти: 4 ГБ; количество планок: 1; форм-фактор памяти: SoDIMM; тип оперативной памяти: DDR3; частота: 1600 МГц; пропускная способность: 12800 МБ/c; тайминги: CL11; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); напряжение питания: 1.35 В.
Код товара: 486-478
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (M378A2K43CB1-CTD) - объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота:: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.
Код товара: 486-479
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (M378A5244CB0-CTD) - тип: DDR4, DIMM, 288-контактная; объем: 16 Гб; тактовая частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 Мб/с; ранки и чипы ранков: 2; напряжение питания: 1.2 В; тайминги: CL 19.
Код товара: 492-631
Есть в наличии
Модуль памяти Apacer DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (DV.08G2K.KAM) - назначение: для настольных ПК; объем памяти: 8 ГБ; количество планок: 1; форм-фактор памяти: DIMM; тип оперативной памяти: DDR3; частота: 1600 МГц; пропускная способность: 12800 МБ/c; тайминги: CL11; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); напряжение питания: 1.35 В.
Код товара: 492-632
Есть в наличии
Модуль памяти Apacer DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666Mhz (EL.08G2V.GNH) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В.
Код товара: 496-066
Есть в наличии
Модуль памяти Apacer DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666Mhz (EL.16G2V.GNH) - назначение: для настольных ПК; объем памяти: 16 ГБ; количество планок: 1; форм-фактор памяти: DIMM; тип оперативной памяти: DDR4; частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 МБ/c; тайминги: CL16; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); напряжение питания: 1.2 В.
Код товара: 498-032
Есть в наличии
Модуль памяти Apacer ES.08G2V.GNH - назначение: для ноутбуков; объем памяти: 8ГБ; количество планок: 1; форм-фактор памяти: So-Dimm; тип оперативной памяти: DDR4; частота, МГц: 2666; пропускная способность, МБ/c: 21300; тайминги: CL19; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); проверка и коррекция
ошибок (ECC): нет; напряжение питания, В: 1.2; радиатор охлаждения: нет (ES.08G2V.GNH) ... развернутьсвернуть
Код товара: 499-877
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung M471B5173DBO-YKO - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR3L; объём памяти: 4ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600МГц; рабочее напряжение: 1.35В; количество ранков: 1 (M471B5173DBO-YKO)
Код товара: 499-882
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung M378B5173QHO-CKO - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600МГц; CAS-задержка: CL11; рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173QHO-CKO)
Код товара: 499-655
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung M471A1K43BB1-CRC - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR4; объём памяти: 8ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400МГц; CAS-задержка: CL17; формула таймингов: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2В; количество ранков: 1 (M471A1K43BB1-CRC)
Код товара: 525-374
Есть в наличии
Модуль памяти SAMSUNG 16GB DDR4 2666Mhz SODIMM (M471A2K43CB1-CTD)
Код товара: 532-934
Есть в наличии
SODIMM 32G DDR4 2666MHz SAMSUNG Original (M471A4G43MB1-CTD)
Код товара: 539-840
Есть в наличии
Модуль памяти DDR4 32GB 3200 Samsung original C22 (M378A4G43AB2-CWE)
Код товара: 546-074
Есть в наличии
Модуль памяти SO-DIMM DDR4 16GB 3200 Samsung C22 (M471A2K43DB1-CWE)
Код товара: 549-106
Есть в наличии
Модуль памяти SO-DIMM DDR4 8GB 3200 Samsung C22 (M471A1K43EB1-CWE)
Код товара: 555-867
Есть в наличии
3200 MHz, CL22, 1.2 V, ECC, Registered, 2Rx4
Код товара: 555-992
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung 16 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (M471A2K43DB1-CTD)
Код товара: 557-303
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DRAM 64GB DDR4 RDIMM 3200MHz, 1.2V, (4Gx4)x36, 2R x 4 (M393A8G40AB2-CWE)
Код товара: 559-800
Есть в наличии
Память Samsung 8 GB DDR4 2133 MHz - (M378A1K43BB1-CPB)
Код товара: 565-218
Есть в наличии
Память Samsung DDR3L-1600 8GB SO-DIMM PC3-12800 (M471B1G73BH0-YK0)
Код товара: 573-821
Есть в наличии
Пам'ять SO-DIMM DDR4 16GB SAMSUNG 2133 MHz, CL15, 1.2V ECC (M474A2K43BB1-CPBQ)
Код товара: 574-123
Есть в наличии
3200 МГц, CL22, 1.2 В, ECC, Registered, 2Rx4
Код товара: 589-018
Есть в наличии
Память Samsung 16 GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz ECC (M474A2K43BB1-CRCQ)
Код товара: 594-508
Есть в наличии
DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 2666 МГц, Тайминги - CL16, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - нет
Код товара: 594-817
Есть в наличии
Модуль пам'яті DDR5 8GB 5600 Samsung original C40 (M323R1GB4DB0-CWM)
Код товара: 600-121
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (M471B5273BH1-CH9)
Код товара: 604-951
Есть в наличии
Оперативная память SAMSUNG 64GB DDR5 4800Mhz ECC RDIMM (M321R8GA0BB0-CQK)
Код товара: 605-960
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (M471B5273CM0-CH9)
Код товара: 595-513
Есть в наличии
Пам'ять SAMSUNG 2GB SO-DIMM DDR2 667 MHz (M470T5663QZ3-CE6)
Код товара: 600-804
Есть в наличии
Пам'ять SAMSUNG 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (M471B5273BH1-CF8)
Код товара: 603-742
Есть в наличии
Samsung 8GB UDIMM DDR4-3200 PC4-3200AA 1Rx16 260-Pin (M378A1G44CB0-CWE)
Код товара: 606-926
Есть в наличии
Память Samsung 2GB SO-DIMM DDR3 1600MHz (M471B5773CHS-CK0)
Код товара: 615-487
Есть в наличии
Код товара: 608-439
Есть в наличии
SAMSUNG 32GB DDR4 3200MHz SODIMM (M471A4G43BB1-CWE)
Код товара: 609-300
Есть в наличии
SAMSUNG 16GB 3200Mhz RDIMM 1Rx4, 1.2v (M393A2K40EB3-CWE)
Код товара: 609-301
Есть в наличии
SAMSUNG 16GB 3200MHz DDR4 ECC UDIMM CL17 1R x 8 (M391A2G43BB2-CWE)
Код товара: 610-114
Есть в наличии
SAMSUNG 16GB DDR4 3200Mhz Non-ECC Registered UDIMM (M378A2G43CB3-CWE)
Код товара: 614-840
Есть в наличии
DDR4, 32 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 3200 МГц, Таймінги - CL 16-20-20-38, Напруга живлення - 1.35 В, Підсвічування - немає
Код товара: 614-841
Есть в наличии
DDR4, 8 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 2666 МГц, Таймінги - CL16-18-18, Напруга живлення - 1.2 В, Підсвічування - немає
Код товара: 614-842
Есть в наличии
DDR4, 8 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 3200 МГц, Таймінги - CL 16-20-20-38, Напруга живлення - 1.35 В, Підсвічування - немає
Код товара: 614-843
Есть в наличии
DDR4, 32 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 2666 МГц, Таймінги - CL19-19-19, Напруга живлення - 1.2 В, Підсвічування - немає
Код товара: 614-844
Есть в наличии
DDR4, 32 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 3200 МГц, Таймінги - CL22-22-22, Напруга живлення - 1.2 В, Підсвічування - немає
Код товара: 616-268
Есть в наличии
DDR4, 16 ГБ, У наборі - 2, Частота пам'яті - 3200 МГц, Таймінги - CL16-18-18, Напруга живлення - 1.35 В, Підсвічування - немає
Код товара: 617-673
Есть в наличии
Samsung DRAM 32GB DDR4 ECC UDIMM 3200MHz, 1.2V, (2Gx8)x18, 2R x 8 (M391A4G43AB1-CWE)
Код товара: 617-837
Есть в наличии
SAMSUNG 32GB DDR5 4800Mhz ECC UDIMM (M324R4GA3BB0-CQK)
Код товара: 618-251
Есть в наличии
SAMSUNG 16GB DDR5 4800Mhz ECC UDIMM (M324R2GA3BB0-CQK)
Код товара: 104-281
Есть в наличии
Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10600, CL9, 1 планка
Код товара: 128-547
Есть в наличии
Модуль памяти SAMSUNG DDR2 2048Mb 800 MHz (M378T5663FB3-CF7)
800 MHz, PC2-6400, CL6, 1 планка
Код товара: 204-533
Есть в наличии
Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz SAMSUNG (M471B1G73BH0-CK0)
1600 MHz, PC3-12800, 1 планка
Код товара: 240-383
Есть в наличии
Модуль памяти DDR-3 2GB PC3-12800 (РС3-1600) Samsung Original (M378B5773DH0-CK0 )
Код товара: 304-086
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung 4GB SO-DIMM DDR3 1600MHz (M471B5273CH0-CK0)
Код товара: 305-116
Есть в наличии
Оперативна пам'ять для ноутбука SODIMM Samsung DDR3 2048Mб 1333MГц (M471B5673EH1-CF8)
Код товара: 159-526
Есть в наличии
Модуль памяти SAMSUNG DDR3 4GB 1600 MHz (M378B5273DH0-CK0 / M378B5273CH0-CK000), PC3-12800, CL9, 1 планка
Код товара: 197-911
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 2 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 200-219
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 389-251
Есть в наличии
Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1333 MHz Samsung (M471B5273DH0-YH9JP)
Код товара: 222-034
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10666, CL9, 1 планка (M378B5273DH0-CH9)
Код товара: 348-899
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Semiconductor - 1 модуль памяти DDR3L,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11 (M471B1G73DB0-YK0)
Код товара: 498-033
Есть в наличии
Модуль памяти APACER SoDIMM DDR4 16Gb 2666Mhz (ES.16G2V.GNH)
Код товара: 509-634
Есть в наличии
Модуль памяти SODIMM 4G DDR3 1600MHz SAMSUNG Original 1.35V (M471B5273DH0-YK0)
Код товара: 511-356
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 2G 1600Mhz SAMSUNG Original (M378B5773CH0-CK0)
Код товара: 511-359
Есть в наличии
Модуль памяти SODIMM 4G DDR3 1600MHz SAMSUNG Original (M471B5173BHO-CKO)
Доставка товаров в следующие города: Киев, Харьков, Одесса, Львов, Днепропетровск, Николаев, Полтава, Ровно, Сумы, Тернополь, Ивано-Франковск, Кировоград, Херсон, Хмельницкий, Черкассы, Чернигов, Черновцы, Винница, Луцк, Житомир, Запорожье, Ужгород.
