Оперативная память

Модуль памяти G.SKILL Original Value Series - NT DDR3, 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (F3-10600CL9S-4GBNT)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9 (GR1333D364L9/8G)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM, 8Gb, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (GR1333S364L9/8G)

Модуль памяти G.Skill SoDIMM DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (F3-1600C11S-8GSQ) - тип: для ноутбуков; тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 ГБ; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.

Модуль памяти G.SKILL DDR4 8GB 2400MHz Value NT (F4-2400C15S-8GNT) - 1 модуль памяти DDR4; объем: 8Gb; частота: 2400Mhz; тайминги: CL15.

Модуль памяти G.Skill DDR4 8Gb 3000MHz (F4-3000C16S-8GISB) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 3000 МГц (24000 Мб/с); наличие радиатора; CL16; 1.35 В; XMP.

Модуль памяти GoodRAM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400Mhz (GR2400D464L17S/8G) - DDR4; 8 Гб; 2400 МГц; cтандарт памяти: PC4-19200; пропускная способность: 19200 мб/сек.

Модуль памяти GOODRAM DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600D364L11/8G)

Модуль памяти G.Skill DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка (F3-1600C11S-8GNT)

Модуль памяти DDR3 4GB 1600 MHz G.Skill (F3-1600C11S-4GNT) PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600S364L11/8G)

Модуль памяти G.Skill Original DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (F4-2400C16S-16GRS) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-16-16-39; рабочее напряжение: 1.2 В; буферизация: Unbuffered.

Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GR2400S464L17S/4G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (GR2400S464L17S/8G) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: SoDIMM, объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1x8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 10

Модуль памяти GOODRAM DDR3 4GB 1333MHz, PC3-10600Mb/sec, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение: 1,5 В (GR1333D364L9S/4G)

Модуль памяти GOODRAM DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,5 В (GR1600D364L11S/4G)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 4Gb, 1600MHz, 1.5V (GR1600S364L11S/4G)

Модуль памяти GOODRAM 4Gb SoDIMM DDR3 1600 MHz PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11S/4G)

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (F4-2400C17S-4GIS) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.

Модуль памяти G.Skill Value DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (F4-2400C17S-4GNT) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти GoodRam Iridium X Black DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (IR-X2666D464L16S/8G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.2 В.

Модуль памяти DDR3 8 ГБ GoodRam 12800 MБ/с; 1600 МГц; RET (GR1600D3V64L11/8G)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11/8G)

Модуль памяти GooDRAM DDR3 4GB 1600MHz (GR1600D3V64L11S/4G) - объем памяти: 4 GB; тип памяти: DDR3; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.

Модуль памяти G.Skill DDR4 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (F4-2400C15S-16GIS) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: DIMM 288-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 16 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; напряжение питания: 1.2 В; радиатор. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.Skill DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GNS) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; 1.2 В.

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GIS) - DIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15-35; 1.2 В; поддержка XMP; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Black.

Модуль памяти GoodRam Iridium Black DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (IR-2400D464L15S/8G) - объем памяти: 8 ГБ; тип памяти: DDR4 SDRAM; напряжение питания: 1.2 В; охлаждение: алюминиевый радиатор; частота памяти: 2400 МГц; радиаторы на планках; эффективная пропускная способность: 19200 МБ/с; схема таймингов памяти: CL15; количество планок: 1; назначение: для настольных ПК; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Goodram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GR2400D464L17S/4G) - объем памяти: 4 ГБ; тип памяти: DDR4 SDRAM; напряжение питания: 1.2 В; частота памяти: 2400 МГц; эффективная пропускная способность: 19200 МБ/с; схема таймингов памяти: CL-17; количество планок: 1; назначение: для настольных ПК; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC. ... развернутьсвернуть