Оперативная память

Модуль памяти Kingston DDR3 SO-DIMM 8GB 1333MHz, PC3-10600, рабочее напряжение: 1,5 В, для Apple iMac, MacBook Pro (KTA-MB1333/8G)

1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

Модуль памяти Micron Crucial DDR2 2Gb (1х2Gb) 667MHz (CT25664AA667) - DDR2; 2 Гб; 1х2 Гб; 667 МГц (5330 Мб/с); CL5; 1.8 В.

Модуль памяти Crucial So-Dimm DDR3 4GB 1066MHz (CT4G3S1067M) - 1 модуль памяти DDR3; объем модуля 4 Гб; форм-фактор SODIMM, 204-контактный; частота 1066 МГц; CAS Latency (CL): 7.

Модуль памяти Kingston ValueRAM DDR4 SoDIMM 8Gb 2400MHz (KVR24S17S8/8) - SoDIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 1Gx64; двусторонняя; количество ранков: 1.

Модуль памяти Micron Crucial DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (CT4G4SFS824A) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2 В.

Модуль памяти Kingston DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (KVR26N19S8/8) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Kingston DDR3 SoDIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (KVR16LS11/8G)

Оперативная память Crucial 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (CT51264BF1339J); PC3-10600; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,35 В