Оперативная память

Модуль памяти Samsung DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173BH0-CK0)

Модуль памяти Team Elite SoDIMM DDR3 4Gb 1600MHz (TED34G1600C11-S01) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.5 В.

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDimm 1x4Gb 1600Mhz (M471B5173QH0-YK0) - для ноутбуков (SoDimm); DDR3L; 1x4Gb; 1600Mhz; CL11; 1.35 В.

Модуль памяти Tem DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5 В (TED3L4G1600C1101)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц (M378B5173CB0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR3, SO-DIMM, 4GB, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (M471B5273DH0-CK0)

Модуль памяти Team Elite DDR3, 8Gb, 1333MHz, CAS Latency (CL): CL9, PC3-10660 (TED38G1333C901)

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, 1.35V (M471B5173BH0-YK0)

Модуль памяти Samsung Original DDR3 SoDIMM 4Gb 1600GHz (M471B5173EB0-YK0) - DDR3; 4 Г; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.

Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz Team (TED38G1600C11-S01) PC3-12800, CL11, 1 планка

Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: 9-9-9-24; рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1333C901)

Модуль памяти Samsung original DDR3, 2GB, 1600MHz, PC3-12800 (M378B5773QB0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb 2133MHz (M378A1G43EB1-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2133MHz (M471A1G43DB0-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1x8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2V.

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц (M378B5173QH0-CK0)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11 (M378B1G73QH0-CK0)

Модуль памяти Team Elite DDR3 SoDIMM 4GB 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V (TED3L4G1600C11-S01)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC (M378B5173DB0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (M378B1G73DB0-CK0) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.

Модуль памяти Team Elite DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,35 / 1,5 В

Модуль памяти Samsung DDR4 16Gb 2400MHz (M378A2K43BB1-CRC) - DDR4; 16 Гб; 1х16 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 16Gb 2133MHz (M471A2K43BB1-CPB) - DDR4; 16 Гб; 1x16 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.

Модуль памяти Team Elite U-DIMM DDR4 4Gb 2400MHz (TED44G2400C1601) - DDR4; 4 Гб; 1х4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.

Модуль памяти Team DDR3 4GB 1600MHz PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1600C1101)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2133Mhz (M471A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2133 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-15-15; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Team Elite SoDIMM DDR4 4Gb 2400MHz (TED44G2400C16-S01) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (M471A2K43BB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (M471A5143EB0-CPB) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.

Модуль памяти Samsung SO-DIMM DDR3 2Gb 1600MHz (M471B5674QH0-YK0) - DDR3; 2 Гб; 1x2 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В / 1.5 В; вольтаж памяти зависит от партии поставки.

Модуль памяти Samsung SO-DIMM, DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (M471B1G73QH0-YK0)