Оперативная память
Код товара: 142-070
Есть в наличии1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 347-524
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,5 В (GR1600D364L11S/4G)
Код товара: 152-588
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill SoDIMM DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (F3-1600C11S-8GSQ) - тип: для ноутбуков; тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 ГБ; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.
Код товара: 347-939
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц,
поддержка ECC (M378B5173DB0-CK0)
Код товара: 178-082
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (PV38G160C0) - DDR3; 8 Гб; 1х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); наличие радиатора; CL10; 1.5 В.
Код товара: 239-680
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot Signature DDR3 4Gb 1600MHz (PSD34G16002) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; 1.5 В.
Код товара: 386-489
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30228A)
Код товара: 386-503
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram SoDIMM, DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30212S)
Код товара: 172-824
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600D364L11/8G)
Код товара: 384-173
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite Plus Black DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1.5В (TPD38G1600HC1101)
Код товара: 384-568
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR3 4GB, 1600GHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173EB0-CK0)
Код товара: 386-491
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram Black Sark DDR3, 8GB (2x4GB), 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 2 планки (E30173A)
Код товара: 246-277
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц
Код товара: 320-039
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 SoDimm 1x4Gb 1600Mhz (M471B5173QH0-YK0) - для ноутбуков (SoDimm); DDR3L; 1x4Gb; 1600Mhz; CL11; 1.35 В.
Код товара: 184-744
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка (F3-1600C11S-8GNT)
Код товара: 186-274
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 4GB 1600 MHz G.Skill (F3-1600C11S-4GNT)
PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка
Код товара: 186-409
Есть в наличии
Модуль памяти Transcend DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 7-7-7 / 9-9-9, рабочее напряжение: 1,5 В (TS1GLK72V6H)
Код товара: 386-488
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30227A)
Код товара: 386-502
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram SoDIMM, DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30211S)
Код товара: 204-536
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц (M378B5173CB0-CK0)
Код товара: 284-230
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite SoDIMM DDR3 4Gb 1600MHz (TED34G1600C11-S01) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.5 В.
Код товара: 369-675
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, 1.35V (M471B5173BH0-YK0)
Код товара: 375-107
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR3 SoDIMM 4Gb 1600GHz (M471B5173EB0-YK0) - DDR3; 4 Г; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.
Код товара: 386-487
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 1 планка (E30149A)
Код товара: 240-635
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3, SO-DIMM, 4GB, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (M471B5273DH0-CK0)
Код товара: 252-028
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot Signature SoDIMM DDR3 8Gb 1600MHz (PSD38G16002S) - SoDIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; 1.5 В; количество микросхем на планке: 16; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.
Код товара: 254-810
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц
Код товара: 400-881
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung So-Dimm DDR3 8GB 1600MHz Original (M471B1G73EB0-YK0) - 1 модуль памяти DDR3; объем памяти: 8 GB; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.
Код товара: 376-868
Есть в наличии
Модуль памяти Tem DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5 В (TED3L4G1600C1101)
Код товара: 377-261
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800 (HMT451U6BFR8C-PB)
Код товара: 378-981
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, CL11 (HMT451U6AFR8C-PB)
Код товара: 199-822
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600S364L11/8G)
Код товара: 289-943
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173BH0-CK0)
Код товара: 260-553
Есть в наличии
Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz Team (TED38G1600C11-S01)
PC3-12800, CL11, 1 планка
Код товара: 260-366
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3L,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 408-958
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (PSD34G1600L81) - DDR3; 4Гб; 1х4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35V.
Код товара: 410-378
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 8Gb 1600MHz (PSD38G1600L2S) - DDR3; 8 Гб; 1x8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.
Код товара: 423-295
Есть в наличии
Модуль памяти Micron Crucial DDR3 8Gb 1600MHz (CT102464BD160B) - DDR3; 8 Гб; 1х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.
Код товара: 307-787
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 319-497
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц (M378B5173QH0-CK0)
Код товара: 114-013
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 8GB 1600 MHz Hynix (HMT41GU6MFR8C-PB N0 AA)
1600 MHz, PC3-12800, 1 планка
Код товара: 324-681
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11 (M378B1G73QH0-CK0)
Код товара: 329-359
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill Aegis DDR3 8GB (2x4GB) 1600MHz, CL11, 1.5V, 2 планки (F3-1600C11D-8GIS)
Код товара: 307-542
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц
Код товара: 422-471
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston DDR3 SoDIMM 8Gb 1600MHz (KCP316SD8/8) - DDR3; 8 Гб; 1x8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.5 В; совместимость с Apple.
Код товара: 438-069
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (HMT451S6DFR8A-PB) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.
Код товара: 456-647
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600Mhz (GM16N11/4) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; CAS Latency (CL): CL11.
Код товара: 323-282
Есть в наличии
Оперативная память PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-27, рабочее напряжение: 1,5 В
Код товара: 309-529
Есть в наличии
Модуль памяти Silicon Power SoDIMM DDR-3, 4096Mb, DDR-1600MHz, CL11 (SP004GBSTU160N02)
Код товара: 457-938
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16S11/4) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.5 В.
Доставка товаров в следующие города: Киев, Харьков, Одесса, Львов, Днепропетровск, Николаев, Полтава, Ровно, Сумы, Тернополь, Ивано-Франковск, Кировоград, Херсон, Хмельницкий, Черкассы, Чернигов, Черновцы, Винница, Луцк, Житомир, Запорожье, Ужгород.
