Оперативная память

Модуль памяти Hynix DDR4 8GB 2133MHz (HMA41GU6AFR8N-TF) - DDR4; 8 Гб; количество модулей в комплекте: 1; 2133 МГц.

Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (M378A1K43CB2-CRC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Crucial DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (CT8G4SFS8266) - тип: оперативная память; тип памяти: DDR4; суммарный объем памяти всего комплекта: 8 ГБ; объем одного модуля памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; частота: 2666 МГц; пропускная способность: PC21300; CAS Latency (CL): 19; напряжение питания: 1.2 В.

Модуль памяти для ноутбука SAMSUNG 8GB 2666Mhz DDR4 1.2v SODIMM (M471A1K43CB1-CTD)

Модуль памяти Hynix 8Gb SO-DIMM DDR4 2400MHz 1.2 V (HMA81GS6MFR8N-UH)

MICRON 8 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (MTA8ATF1G64HZ-2G6D1)

Память MICRON DDR4 2400 8Gb C17 (MTA8ATF1G64AZ-2G3B1) 1.2v (MTA8ATF1G64AZ-2G3B1)

пам'ять SO-DIMM DDR4 8GB Hynix (HMA81GS6DJR8N-VK) 2666 MHz, CL18, 1.2 V (HMA81GS6DJR8N-VK)

Модуль памяти Micron 8GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (MTA8ATF1G64HZ-2G6E1)

Пам'ять ноутбука Crucial DDR4 8GB 2666 (CT8G4SFRA266)

пам'ять Hynix DDR3L SO-DIMM 1866 8Gb C11 (HMT41GS6BFR8A-RD)

Samsung 8GB UDIMM DDR4-3200 PC4-3200AA 1Rx16 260-Pin (M378A1G44CB0-CWE)

Память Micron 8 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (MTA8ATF1G64HZ-2G6E3)

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 2400 MHz, CL17, 1.2 V, нет

Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (GR2666S464L19S/8G) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти eXceleram Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 8 GB, Количество модулей в наборе - 2, Частота памяти - 2666 MHz, CL16, Напряжение - 1.2 V (E408266A)

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 8 ГБ, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 2666 MHz, Тайминги - CL19, Напряжение - 1.2 V, 120 месяцев

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 2666 MHz, CL19-19-19, 1.2 V

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22, 1.2 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, нет

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22, 1.2 V, 288-pin SO-DIMM, non-ECC

Модуль памяти для компьютера DDR4 8GB 2666 MHz Netac (NTBSD4P26SP-08)

Модуль памяти Golden Memory DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (GM24N17S8/8) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В.

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 2666 MHz, CL16-18-18, 1.2 V

Пам'ять ноутбука Patriot DDR4 8GB 3200MHz (PSD48G320081S)

Модуль памяти DIMM 8GB PC24000 DDR4 F4-3000C16S-8GISB G.SKILL (F4-3000C16S-8GISB)

Модуль памяти DDR4 8G 3200MHz Kingston (KVR32N22S8/8BK)

Модуль памяти Kingston DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (KVR26N19S8/8) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Kingston DRAM 8GB 3200MHz DDR4 Non-ECC CL22 DIMM 1Rx8 (KVR32N22S8/8)

Модуль памяти Kingston DDR4 3200 8GB SoDIMM (KVR32S22S8/8)

Модуль памяти Kingston DDR4 SoDIMM 8GB 3200MHz (KVR32S22S6/8)

Модуль памяти DDR4 8GB 3200 MHz Kingston (KVR32N22S6/8)

Пам'ять ПК Crucial DDR4 8GB 2666 (CT8G4DFRA266)

Модуль памяти GoodRAM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400Mhz (GR2400D464L17S/8G) - DDR4; 8 Гб; 2400 МГц; cтандарт памяти: PC4-19200; пропускная способность: 19200 мб/сек.

Модуль памяти Transcend JetRam DDR4 SoDIMM 8GB 3200MHz (JM3200HSB-8G)

Модуль памяти Apacer ES.08G2V.GNH - назначение: для ноутбуков; объем памяти: 8ГБ; количество планок: 1; форм-фактор памяти: So-Dimm; тип оперативной памяти: DDR4; частота, МГц: 2666; пропускная способность, МБ/c: 21300; тайминги: CL19; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); проверка и коррекция ошибок (ECC): нет; напряжение питания, В: 1.2; радиатор охлаждения: нет (ES.08G2V.GNH) ... развернутьсвернуть

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 8 ГБ, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 2666 MHz, Тайминги - CL19, Напряжение - 1.2 V, 120 месяцев

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 2666 MHz, CL10, 1.2 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC

Модуль памяти DDR4 8GB/2666 Apacer NOX (AH4U08G26C08YMBAA-1) (AH4U08G26C08YMBAA-1)

DDR4, 8 ГБ, У наборі - 1, 3200 МГц, CL22-22-22, 1.2 В, 262-pin SO-DIMM, non-ECC, немає

Модуль памяти Apacer DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666Mhz (EL.08G2V.GNH) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В.

Пам'ять для ПК ADATA DDR4 3200 8GB (AD4U32008G22-SGN)

Модуль памяти Apacer SoDIMM DDR4 8GB 3200MHz (ES.08G21.GSH)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2133MHz (M471A1G43DB0-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1x8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2V.

Оперативная память Hynix SO-DIMM DDR4 8GB ORIGINAL 2666 MHz, CL19, 1.2V (HMA81GS6JJR8N-VK)

Память Samsung 8 GB DDR4 2133 MHz - (M378A1K43BB1-CPB)

Модуль памяти GoodRam Iridium X Black DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (IR-X2666D464L16S/8G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.2 В.

GOODRAM модуль пам'яті 8Gb DDR4 3200MHz sodimm (GR3200S464L22S/8G)

Модуль памяти Patriot DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (PSD44G240082S) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти SODIMM 4G DDR3 1600MHz SAMSUNG Original (M471B5173BHO-CKO)