Оперативная память

Модуль памяти Team Elite Plus Black DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1.5В (TPD38G1600HC1101)

Модуль памяти Micron Crucial DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2133MHz (CT16G4SFD8213) - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2133 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (M471A2K43BB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 16Gb 2133MHz (M471A2K43BB1-CPB) - DDR4; 16 Гб; 1x16 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 16Gb 2400MHz (M378A2K43BB1-CRC) - DDR4; 16 Гб; 1х16 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 ECC 16Gb 2133MHz (M393A2G40DB0-CPB00) - DIMM DDR4 ECC; 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2133 МГц; CL15; 1.2 В; количество микросхем на планке: 36; тип микросхем: 2Gx72; двусторонняя; количество ранков: 2; буферизованная (Registered).

Модуль памяти Kingston DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (KVR26N19D8/16) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 1х16 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Kingston DDR3 SoDIMM 8Gb 1600MHz (KCP316SD8/8) - DDR3; 8 Гб; 1x8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.5 В; совместимость с Apple.

Модуль памяти Transcend DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 7-7-7 / 9-9-9, рабочее напряжение: 1,5 В (TS1GLK72V6H)

Модуль памяти Hynix DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (HMT41GU6BFR8C-PBN0)

Модуль памяти Samsung DDR4 ECC 32Gb (1x32Gb) 2666MHz (M393A4K40CB2-CTD) - объем памяти: 32 Гб; тип памяти: DDR4 ECC Registered; частота памяти: 2666 МГц; стандарт памяти: DDR4-2666; тайминги: 17-17-17-40; количество планок: 1; высота: обычная; назначение: четырехканальные чипсеты C612; применение: серверы; напряжение питания: 1.2 В.

Модуль памяти HP DDR4 ECC 8Gb 2400MHz (805347-B21) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; поддержка ECC; буферизованная (Registered); CAS Latency (CL): 17; RAS to CAS Delay (tRCD): 17; Row Precharge Delay (tRP): 17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти IBM DDR4 8GB, 2133MHz, PC4-17000, 1Rx4, 1.2V, CL15 2133MHz LP RDIMM (00FM011)

Модуль памяти Lenovo ThinkSystem DDR4 ECC 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (7X77A01303) - тип: DDR4; объем: 16 ГБ; количество планок в комплекте: 1 шт.; частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 МБ/с; число рангов: двухранговая (Dual Rank); ECC; буферизация: Registered.