Оперативная память

Модуль памяти G.Skill DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GNS) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (M378A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 2Gb (1x2Gb) 1600MHz (HMT325S6CFR8C-PB) - объем памяти: 2 ГБ; тип памяти: SODIMM DDR3; напряжение питания: 1.5 В; частота памяти: 1333 МГц; эффективная пропускная способность: 10600 Мбит/с; схема таймингов памяти: CL9; количество планок: 1; назначение: для ноутбуков; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC.

Модуль памяти eXceleram DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (E20103A) - тип памяти: DDR2; объем памяти: 2Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 800MHz; тайминги: CL6; напряжение: 1.8V; форм-фактор памяти: 240-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти Samsung DDR3 4Gb 1600MHz (M378B5173EB0-YK0) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 512Mx4; упаковка микросхем: односторонняя; количество ранков: 1.

Модуль памяти Kingston ValueRAM DDR4 SoDIMM 8Gb 2400MHz (KVR24S17S8/8) - SoDIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 1Gx64; двусторонняя; количество ранков: 1.

Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 1600MHz (M378B1G73EB0-YK0) - DIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 16; тип микросхем: 1Gx64; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GIS) - DIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15-35; 1.2 В; поддержка XMP; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Black.

Модуль памяти HP DDR4 ECC 8Gb 2400MHz (805347-B21) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; поддержка ECC; буферизованная (Registered); CAS Latency (CL): 17; RAS to CAS Delay (tRCD): 17; Row Precharge Delay (tRP): 17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600Mhz (GM16N11/4) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; CAS Latency (CL): CL11.

Модуль памяти eXceleram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (E404247A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2400MHz;4 тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти eXceleram DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (E408247A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти Samsung DDR4 ECC 16Gb 2133MHz (M393A2G40DB0-CPB00) - DIMM DDR4 ECC; 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2133 МГц; CL15; 1.2 В; количество микросхем на планке: 36; тип микросхем: 2Gx72; двусторонняя; количество ранков: 2; буферизованная (Registered).

Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (PSD34G1600L2S) - DDR3L; SODIMM 204-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 4 Гб; CAS Latency (CL): 11; 1.35 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (M471B5173DB0-YK0) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В/1.5

Модуль памяти Micron Crucial DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2133MHz (CT16G4SFD8213) - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2133 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти G.Skill Original DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (F4-2400C16S-16GRS) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-16-16-39; рабочее напряжение: 1.2 В; буферизация: Unbuffered.

Модуль памяти Hynix DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (HMP125U6EFR8C-S6) - объем памяти: 2 ГБ; тип памяти: DDR2 SDRAM; напряжение питания: 1.8 В; частота памяти: 800 МГц; эффективная пропускная способность: 6400 МБ/с; схема таймингов памяти: CL6; количество планок: 1; назначение: для настольных ПК; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC.

Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) - DIMM DDR4; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Hynix DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600Mhz (HMT41GU6BFR8C-PB) - DDR3; DIMM 240-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; количество чипов каждого модуля: 16; двусторонняя упаковка; 1.5 В.

Модуль памяти Geil Original DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (GN48GB2400C16S) - DIMM; DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-16-16-36; 1.2V.

Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1333MHz (PSD34G13332S) - DDR3; SoDIMM 204-контактный; 1333 МГц; пропускная способность: 10600 Мб/с; 1 модуль 4 Гб; CAS Latency (CL): 9; количество чипов каждого модуля: 8; двусторонняя упаковка; 1.5V; количество ранков: 2.

Модуль памяти Goodram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GR2400D464L17S/4G) - объем памяти: 4 ГБ; тип памяти: DDR4 SDRAM; напряжение питания: 1.2 В; частота памяти: 2400 МГц; эффективная пропускная способность: 19200 МБ/с; схема таймингов памяти: CL-17; количество планок: 1; назначение: для настольных ПК; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.Skill SoDIMM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (F4-2400C16S-8GRS) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: SODIMM 260-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 8 Гб; поддержка XMP; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 16; Row Precharge Delay (tRP): 16; Activate to Precharge Delay (tRAS): 39; напряжение питания: 1.2 В. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти GoodRam Iridium Blue DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (IR-B2400D464L15S/8G) - назначение: для настольного компьютера; тип памяти: DDR4; количество модулей памяти в наборе: 1 шт.; емкость памяти, Гб: 8; максимальная рабочая частота, МГц: 2400; тайминги: CL15; напряжение питания, В: 1.2; ширина, мм: 50; высота, мм: 10; вес, г: 35.

Модуль памяти GoodRAM Iridium Black DDR4 16Gb (1x16Gb) 2133MHz (IR-2133D464L15/16G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 1х16 Гб; частота (пропускная способность): 2133 МГц (17060 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL15; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Micron Ballistix Sport LT White DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (BLS8G4D240FSCK) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); наличие радиатора: есть; тайминги: CL16; питание: 1.2 В; XMP (Xtreme Memory Profiles): есть.

Модуль памяти Samsung DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (M378T5663EH3-CF7/M378T5663FB3-CF7) - тип памяти: DDR2; объем памяти: 2Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 800MHz; тайминги: CL6.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (GM16S11/8) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1x8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.

Модуль памяти Geil DDR4 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (GN44GB2133С15S) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2133 МГц (17060 МБ/с); тайминги: CL15; питание: 1.2 В.