Оперативная память

Модуль памяти Hynix DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600Mhz (HMT41GU6BFR8C-PB) - DDR3; DIMM 240-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; количество чипов каждого модуля: 16; двусторонняя упаковка; 1.5 В.

Модуль памяти Geil Original DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (GN48GB2400C16S) - DIMM; DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-16-16-36; 1.2V.

Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1333MHz (PSD34G13332S) - DDR3; SoDIMM 204-контактный; 1333 МГц; пропускная способность: 10600 Мб/с; 1 модуль 4 Гб; CAS Latency (CL): 9; количество чипов каждого модуля: 8; двусторонняя упаковка; 1.5V; количество ранков: 2.

Модуль памяти Goodram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GR2400D464L17S/4G) - объем памяти: 4 ГБ; тип памяти: DDR4 SDRAM; напряжение питания: 1.2 В; частота памяти: 2400 МГц; эффективная пропускная способность: 19200 МБ/с; схема таймингов памяти: CL-17; количество планок: 1; назначение: для настольных ПК; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.Skill SoDIMM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (F4-2400C16S-8GRS) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: SODIMM 260-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 8 Гб; поддержка XMP; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 16; Row Precharge Delay (tRP): 16; Activate to Precharge Delay (tRAS): 39; напряжение питания: 1.2 В. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Golden Memory DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (GM16N11/8) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.5 В.

Модуль памяти Apacer DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (DG.04G2K.KAM) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.35 В.

Модуль памяти Apacer DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (DG.08G2K.KAM) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.35 В.

Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GR2400S464L17S/4G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Patriot DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (PSD44G240041H) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.2 В.

Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (GR2400S464L17S/8G) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: SoDIMM, объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1x8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRCD0) - назначение: для ноутбука; тип памяти: DDR4; количество модулей памяти в наборе: 1 шт.; емкость памяти: 4 Гб; максимальная рабочая частота: 2400 МГц; напряжение питания: 1.2 В; вес: 10 г.

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (F4-2400C17S-4GIS) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.

Модуль памяти G.Skill Value DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (F4-2400C17S-4GNT) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (M471A2K43BB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти eXceleram Black Kudos DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (EKBLACK3081611LA) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC3-12800; частота памяти: 1600MHz; тайминги: CL11; напряжение: 1.35V; форм-фактор памяти: 240-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered; охлаждение: + радиатор. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти eXceleram DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (E408247S) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 260-pin SoDIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти Exceleram DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (E416247S) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 260-pin SoDIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16LS11/4) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC3-12800; частота памяти: 1600 МГц; напряжение: 1.35V; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти GoodRam Iridium X Black DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (IR-X2666D464L16S/8G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Geil DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GG34GB1600C11S) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.35 В.

Модуль памяти Lenovo ThinkSystem DDR4 ECC 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (7X77A01303) - тип: DDR4; объем: 16 ГБ; количество планок в комплекте: 1 шт.; частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 МБ/с; число рангов: двухранговая (Dual Rank); ECC; буферизация: Registered.

Модуль памяти Samsung DDR4 ECC 32Gb (1x32Gb) 2666MHz (M393A4K40CB2-CTD) - объем памяти: 32 Гб; тип памяти: DDR4 ECC Registered; частота памяти: 2666 МГц; стандарт памяти: DDR4-2666; тайминги: 17-17-17-40; количество планок: 1; высота: обычная; назначение: четырехканальные чипсеты C612; применение: серверы; напряжение питания: 1.2 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (HMA851U6CJR6N-VKN0) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Patriot DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (PSD44G240082S) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10600, CL9, 1 планка

Модуль памяти SAMSUNG DDR2 2048Mb 800 MHz (M378T5663FB3-CF7) 800 MHz, PC2-6400, CL6, 1 планка

Mushkin 8GB DDR3-1066 PC3-8500 7-7-7-20 < 992019 > 1.5V SO-DIMM (M992019)

Оперативная память; PC3-10666; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,5 В (CT51264BA1339)

Модуль памяти Mushkin SO-DIMM DDR3-1333, 1x8GB, PC3-10600, 9-9-9-24, 1.5V (M992020)

Модуль памяти SAMSUNG DDR3 4GB 1600 MHz (M378B5273DH0-CK0 / M378B5273CH0-CK000), PC3-12800, CL9, 1 планка

Модуль памяти DDR2 2GB 667 MHz Hynix (HYMP125U64CP8-Y5) 667 MHz, PC2-5300, CL5, 1 планка

Mushkin 4GB DDR3-1600 PC3L-12800 11-11-11-28 < 992030 > 1.35V Essentials LV Series (M992030)

Модуль памяти SO-DIMM 8Gb DDR3 1600MHz Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 1.35В

Модуль памяти DDR3 2GB 1333MHz (PC3-10600) Micron (MT16JTF25664AZ-1G4G1)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

Модуль памяти Hynix DDR3 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (HMT351U6BFR8C-H9)

Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10666, CL9, 1 планка (M378B5273DH0-CH9)

Оперативная память Crucial 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (CT51264BF1339J); PC3-10600; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,35 В

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

Модуль памяти Samsung Semiconductor - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11 (M471B1G73DB0-YK0)

Модуль памяти Hynix 4GB, SO-DIMM DDR3, 1333MHz, PC3-10666, штатные тайминги: CL9, рабочее напряжение: 1,5 B (HMT351S6BFR8C-H9)