Оперативная память

Модуль памяти AddLink 16GB DDR4 3200 MHz Spider 4 (AG16GB32C16S4UB)

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 16GB 3000MHz (F4-3000C16D-16GISB) - DDR4; 16 ГБ; 2 x 8 ГБ; 3000 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18; 1.2 В; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Black.

Модуль памяти DDR4 16GB/3200 GOODRAM Iridium X Black (IR-XL3200D464L16S/16G) (IR-XL3200D464L16S/16G)

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 16 ГБ, Количество модулей в наборе - 2, Частота памяти - 2666 MHz, Тайминги - CL19, Напряжение - 1.2 V

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 16 ГБ, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 2666 MHz, Тайминги - CL19, Напряжение - 1.2 V, RGB

Модуль памяти GoodRam Iridium X Black DDR4 16Gb (2x8Gb) 2666MHz (IR-X2666D464L16S/16GDC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 8 ГБ; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18; рабочее напряжение: 1.2 В; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный. ... развернутьсвернуть

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22, 1.2 V, non-ECC

Модуль памяти DDR4 16G KIT(2x8G) 3200MHz G.SKILL AEGIS 1.35V CL16 (box) (F4-3200C16D-16GIS)

Модуль памяти DDR4 16GB 3600 Team Vulcan Z Grey C18-22-22-42 (TLZGD416G3600HC18J01)

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 16 GB, Количество модулей в наборе - 2, Частота памяти - 2666 MHz, CL16, Напряжение - 1.2 V

DDR4, 16 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 3200 МГц, Таймінги - CL16-20-20, Напруга живлення - 1.2 В, Підсвічування - немає

Модуль памяти GOODRAM DDR4 16GB 2400MHz (GR2400D464L17/16G)

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, 3200MHz, CL16, 1.35 V

Модуль памяти Kingston DRAM 16GB 3200MHz DDR4 Non-ECC CL22 DIMM 2Rx8 (KVR32N22D8/16)

Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR4 16GB 3200 MHz Transcend (JM3200HSE-16G)

Модуль памяти DDR4 8GB/2666 Gigabyte (GP-GR26C16S8K1HU408)

Модуль памяти Kingston SoDIMM DDR4 3200 16GB (KVR32S22S8/16)

UAT42666CL19BK2/16 модуль пам'яті 16Gb DDR4 2666MHz Atria Fly Black (2x8) UAT42666CL19BK2/16 (UAT42666CL19BK2/16)

Модуль памяти Micron Crucial DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2133MHz (CT16G4SFD8213) - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2133 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти SAMSUNG 16GB DDR4 2666Mhz SODIMM (M471A2K43CB1-CTD)

Модуль памяти SoDIMM DDR4 16GB 2666 Hynix original С19 (HMA82GS6JJR8N-VK)

Модуль памяти HYNIX ORIGINAL SoDIMM DDR4 16GB 2400 MHz (HMA82GS6AFR8N-UH)

Модуль памяти SK Hynix 16GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (HMA82GS6DJR8N-VK)

Модуль памяти SoDIMM DDR4 16GB HYNIX ORIGINAL 2666 MHz, CL19, 1.2 V (HMA82GS6CJR8N-VK)

Модуль памяти Samsung 16 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (M471A2K43DB1-CTD)

Модуль памяти MICRON 16GB SO-DIMM DDR4 2133MHz (MTA16ATF2G64HZ-2G1B1)

Память Micron 16 GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz - (MTA16ATF2G64HZ-2G3E1)

Модуль памяти MICRON 16GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz (MTA16ATF2G64HZ-2G3H1)

Память Hynix 16 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMA82GS6CJR8N-XN)

Модуль памяти Micron 16GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (MTA16ATF2G64HZ-2G6E1)