Оперативная память
Код товара: 377-261
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800 (HMT451U6BFR8C-PB)
Код товара: 378-981
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, CL11 (HMT451U6AFR8C-PB)
Код товара: 446-223
Есть в наличии
Модуль памяти Micron Crucial DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (CT4G4SFS824A) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2 В.
Код товара: 460-823
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5143EB1-CRC) - тип памяти:SoDIMM DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В; габариты: 30x3.7x69.6 мм.
Код товара: 240-451
Есть в наличии
Модуль памяти DDR2 2GB 667 MHz Hynix (HYMP125U64CP8-Y5)
667 MHz, PC2-5300, CL5, 1 планка
Код товара: 232-776
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR2,
объем модуля 2 Гб,
форм-фактор SODIMM, 200-контактный,
частота 800 МГц (HYMP125S64CP8-S6)
Код товара: 376-845
Есть в наличии
Модуль памяти Micron Crucial DDR2 2Gb (1х2Gb) 667MHz (CT25664AA667) - DDR2; 2 Гб; 1х2 Гб; 667 МГц (5330 Мб/с); CL5; 1.8 В.
Код товара: 464-163
Есть в наличии
Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GR2400S464L17S/4G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 449-123
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1333MHz (PSD34G13332S) - DDR3; SoDIMM 204-контактный; 1333 МГц; пропускная способность: 10600 Мб/с; 1 модуль 4 Гб; CAS Latency (CL): 9; количество чипов каждого модуля: 8; двусторонняя упаковка; 1.5V; количество ранков: 2.
Код товара: 466-092
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (F4-2400C17S-4GIS) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.
Код товара: 254-543
Есть в наличии
Mushkin 4GB DDR3-1600 PC3L-12800 11-11-11-28 < 992030 > 1.35V Essentials LV Series (M992030)
Код товара: 386-487
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 1 планка (E30149A)
Код товара: 391-846
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3 4GB 1333MHz, PC3-10600, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение: 1.5V (E30140A)
Код товара: 437-316
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR3 4Gb (1x4Gb) 1333MHz (E30225A) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 1333MHz; тайминги: CL9; напряжение: 1.35V.
Код товара: 358-852
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM 4Gb SoDIMM DDR3 1600 MHz PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11S/4G)
Код товара: 332-606
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR3 SO-DIMM 4GB 1600MHz CL11, 1.5V, 1 планка (E30170A)
Код товара: 361-335
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (M378B1G73DB0-CK0) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.
Код товара: 101-609
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR,
объем модуля 128 Мб,
форм-фактор MicroDIMM, 172-контактный,
частота 266 МГц,
CAS Latency (CL): 2.5
Код товара: 358-848
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 4Gb, 1600MHz, 1.5V (GR1600S364L11S/4G)
Код товара: 132-193
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1333 МГц,
CAS Latency (CL): 9 (GR1333D364L9/8G)
Код товара: 360-064
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 8 ГБ GoodRam 12800 MБ/с; 1600 МГц; RET (GR1600D3V64L11/8G)
Код товара: 380-564
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (TED3L8G1600C1101)
Код товара: 386-500
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram SoDIMM, DDR3, 4GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30213S)
Код товара: 407-592
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR4 4Gb 2400MHz (PSD44G240081) - DDR4; 4 Гб; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.
Код товара: 280-218
Есть в наличии
Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: 9-9-9-24; рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1333C901)
Код товара: 358-477
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite DDR3 SoDIMM 4GB 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V (TED3L4G1600C11-S01)
Код товара: 376-868
Есть в наличии
Модуль памяти Tem DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5 В (TED3L4G1600C1101)
Код товара: 172-824
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600D364L11/8G)
Код товара: 260-553
Есть в наличии
Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz Team (TED38G1600C11-S01)
PC3-12800, CL11, 1 планка
Код товара: 369-348
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite DDR3, 8Gb, 1333MHz, CAS Latency (CL): CL9, PC3-10660 (TED38G1333C901)
Доставка товаров в следующие города: Киев, Харьков, Одесса, Львов, Днепропетровск, Николаев, Полтава, Ровно, Сумы, Тернополь, Ивано-Франковск, Кировоград, Херсон, Хмельницкий, Черкассы, Чернигов, Черновцы, Винница, Луцк, Житомир, Запорожье, Ужгород.