Оперативная память

Модуль памяти eXceleram DDR3 SoDIMM 8GB 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1.5V, 1 планка (E30804S)

Модуль памяти DDR3 8 ГБ GoodRam 12800 MБ/с; 1600 МГц; RET (GR1600D3V64L11/8G)

Модуль памяти Team Elite DDR4 16Gb 2400MHz (TED416G2400C1601) - DDR4; 16 Гб; 2х8 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 16Gb 2400MHz (M378A2K43BB1-CRC) - DDR4; 16 Гб; 1х16 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2 В.

Модуль памяти eXceleram DDR3 SoDIMM, 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 1 планка (E30148A)

Модуль памяти Kingston DDR3 SoDIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (KVR16LS11/8G)

Модуль памяти Hynix DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (HMT41GU6BFR8C-PBN0)

Модуль памяти Samsung DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (M378B1G73DB0-CK0) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11/8G)

Модуль памяти Team Elite DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,35 / 1,5 В

Модуль памяти Samsung SO-DIMM, DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (M471B1G73QH0-YK0)

Модуль памяти Team Elite DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (TED3L8G1600C1101)

Модуль памяти Hynix DDR3 So-DIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (HMT41GS6MFR8C-PB)

Модуль памяти PATRIOT DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 1 планка (PSD38G16002)

Модуль памяти Silicon Power DDR3 SO-DIMM 8Gb 1600MHz (SP008GLSTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3; объем модуля 8 Гб; форм-фактор SO-DIMM, 204-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.

Модуль памяти eXceleram DDR4 8GB 3200MHz (E40832A) - 1 модуль памяти DDR4; объем памяти: 8 GB; частота шины: 3200 MHz; латентность (тайминги): CL16.

Модуль памяти Silicon Power DDR3 8GB 1600MHz (SP008GLLTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 8 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.

Модуль памяти G.Skill DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GNS) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; 1.2 В.

Модуль памяти Kingston ValueRAM DDR4 SoDIMM 8Gb 2400MHz (KVR24S17S8/8) - SoDIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 1Gx64; двусторонняя; количество ранков: 1.

Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 1600MHz (M378B1G73EB0-YK0) - DIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 16; тип микросхем: 1Gx64; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GIS) - DIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15-35; 1.2 В; поддержка XMP; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Black.

Модуль памяти HP DDR4 ECC 8Gb 2400MHz (805347-B21) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; поддержка ECC; буферизованная (Registered); CAS Latency (CL): 17; RAS to CAS Delay (tRCD): 17; Row Precharge Delay (tRP): 17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Hynix DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600Mhz (HMT41GU6BFR8C-PB) - DDR3; DIMM 240-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; количество чипов каждого модуля: 16; двусторонняя упаковка; 1.5 В.

Модуль памяти Geil Original DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (GN48GB2400C16S) - DIMM; DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-16-16-36; 1.2V.

Модуль памяти G.Skill DDR3 16Gb 1600MHz (F3-1600C10D-16GAO) - DDR3; 16 Гб; 2х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); наличие радиатора; CL10; 1.5 В; XMP (Xtreme Memory Profiles).

Модуль памяти Patriot DDR3 16GB(2x8GB) 1600MHz Viper3 Black Mamba (PV316G160C9K) - 2 модуля памяти DDR3; объем модуля 8 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 1600 МГц; радиатор; CAS Latency (CL): 9.

Модуль памяти Exceleram DDR3, 16GB (2x8GB), 1600MHz, CL11, 1.5V, 2 планки (E30166A)

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 16GB (2x8GB) 3200 MHz Ripjaws V G.Skill (F4-3200C16D-16GVKB)

Модуль памяти G.Skill DDR4 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (F4-2400C15S-16GIS) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: DIMM 288-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 16 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; напряжение питания: 1.2 В; радиатор. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти CORSAIR DDR4 16GB(2x8GB) 3200Mhz Vengeance LPX Black (CMK16GX4M2B3200C16) - 2 модуля памяти DDR4; объем модуля 8 Гб; форм-фактор DIMM, 288-контактный; частота 3200 МГц; радиатор; CAS Latency (CL): 16.