Оперативная память

Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) - DIMM DDR4; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5143EB1-CRC) - тип памяти:SoDIMM DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В; габариты: 30x3.7x69.6 мм.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRC) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRCD0) - назначение: для ноутбука; тип памяти: DDR4; количество модулей памяти в наборе: 1 шт.; емкость памяти: 4 Гб; максимальная рабочая частота: 2400 МГц; напряжение питания: 1.2 В; вес: 10 г.

Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (M378A1K43CB2-CRC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 ECC 32Gb (1x32Gb) 2666MHz (M393A4K40CB2-CTD) - объем памяти: 32 Гб; тип памяти: DDR4 ECC Registered; частота памяти: 2666 МГц; стандарт памяти: DDR4-2666; тайминги: 17-17-17-40; количество планок: 1; высота: обычная; назначение: четырехканальные чипсеты C612; применение: серверы; напряжение питания: 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (M471A1K43CB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR3 ECC 32Gb (1x32Gb) 1866MHz (M386B4G70DM0-CMA) - стандарт: DDR3; форм-фактор: DIMM; объем одного модуля: 32 ГБ; количество модулей в комплекте: 1 шт.; суммарный объем: 32 ГБ; эффективная частота: 1866 МГц; пропускная способность: 14900 Мб/с; поддержка ECC; буферизованная (регистровая); количество чипов на модуле: 36 шт.; количество контактов: 240; количество ранков: 4; CAS Latency (CL): 13; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30; напряжение питания: 1 В; нормальная операционная температура (Tcase): 85 dgr.C; расширенная операционная температура (Tcase): 95 dgr.C; компоновка чипов на модуле: двусторонняя; аадиатор; габариты: 133.35 x 30 мм; вес брутто: 50 г. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Samsung Original DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (M378A2K43CB1-CTD) - объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота:: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (M378A5244CB0-CTD) - тип: DDR4, DIMM, 288-контактная; объем: 16 Гб; тактовая частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 Мб/с; ранки и чипы ранков: 2; напряжение питания: 1.2 В; тайминги: CL 19.

Модуль памяти Corsair Vengeance RGB Pro Black Kit 2x8GB XMP - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16ГБ; количество модулей в комплекте: 2x8ГБ; тактовая частота: 3200МГц; CAS-задержка: CL16; формула таймингов: 16-18-18-36; рабочее напряжение: 1.35В; поддержка XMP: да; особенности: подсветка, с охлаждением (радиатор); тип подсветки: регулируемая RGB; цвет радиатора: чёрный (CMW16GX4M2C3200C16) ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Corsair Vengeance LPX Black XMP Kit CMK8GX4M2C3000C16 - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8ГБ; количество модулей в комплекте: 2x4ГБ; тактовая частота: 3000МГц; CAS-задержка: CL16; формула таймингов: 16-18-18-36; рабочее напряжение: 1.35В; поддержка XMP: да; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный (CMK8GX4M2C3000C16) ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Corsair Vengeance LPX Black CMK32GX4M2D3000C16 - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 32ГБ; количество модулей в комплекте: 2x16ГБ; тактовая частота: 3000МГц; CAS-задержка: CL16; формула таймингов: 16-20-20-38 (CMK32GX4M2D3000C16)

Модуль памяти Samsung M471B5173DBO-YKO - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR3L; объём памяти: 4ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600МГц; рабочее напряжение: 1.35В; количество ранков: 1 (M471B5173DBO-YKO)

Модуль памяти Samsung M471A1K43BB1-CRC - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR4; объём памяти: 8ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400МГц; CAS-задержка: CL17; формула таймингов: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2В; количество ранков: 1 (M471A1K43BB1-CRC)

Модуль памяти SAMSUNG 16GB DDR4 2666Mhz SODIMM (M471A2K43CB1-CTD)

SODIMM 32G DDR4 2666MHz SAMSUNG Original (M471A4G43MB1-CTD)

Модуль памяти DDR4 32GB 3200 Samsung original C22 (M378A4G43AB2-CWE)

Модуль памяти SO-DIMM DDR4 16GB 3200 Samsung C22 (M471A2K43DB1-CWE)

Модуль памяти DDR4 32GB (2x16GB) 3600 Corsair Vengeance LPX C18-22-22-42 набор из 2-х модулей (CMK32GX4M2D3600C18)

Модуль памяти SO-DIMM DDR4 8GB 3200 Samsung C22 (M471A1K43EB1-CWE)

3200 MHz, CL22, 1.2 V, ECC, Registered, 2Rx4

Модуль памяти Samsung 16 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (M471A2K43DB1-CTD)

Модуль памяти Samsung DRAM 64GB DDR4 RDIMM 3200MHz, 1.2V, (4Gx4)x36, 2R x 4 (M393A8G40AB2-CWE)

Модуль памяти DDR4 2x8GB/3600 Corsair Vengeance RGB Pro Black (CMW16GX4M2D3600C18)

Память Samsung 8 GB DDR4 2133 MHz - (M378A1K43BB1-CPB)

Память Samsung DDR3L-1600 8GB SO-DIMM PC3-12800 (M471B1G73BH0-YK0)

Corsair DDR4 32GB (2x16GB) Vengeance RGB PRO SL DIMM 3200MHz CL16 black (CMH32GX4M2E3200C16)

Corsair DDR4 16GB (2x8GB) Vengeance RGB PRO SL DIMM 3200MHz CL16 black (CMH16GX4M2E3200C16)

Пам'ять SO-DIMM DDR4 16GB SAMSUNG 2133 MHz, CL15, 1.2V ECC (M474A2K43BB1-CPBQ)