Оперативная память

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 16 ГБ, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 2666 MHz, Тайминги - CL19, Напряжение - 1.2 V, RGB

DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22, 1.2 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC

DDR4, 16 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 3200 МГц, Таймінги - CL16-20-20, Напруга живлення - 1.35 В, Підсвічування - немає

Kingston 8GB 3600MT/s DDR4 CL17 DIMM FURY Beast RGB, EAN: 740617337464 (KF436C17BB2A/8)

Модуль памяти G.SKILL AEGIS DDR4 8Gb 1.35V CL16 Black 3200MHz (F4-3200C16S-8GIS)

Модуль памяти Patriot V Steel 16GB 3200MHZ CL16 UDIMM SINGLE (PVS416G320C6)

DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, 2666 MHz, CL16, 1.2 V, нет

Модуль памяти DDR4 2x8GB/2666 G.Skill Ripjaws V Red (F4-2666C19D-16GVR) (F4-2666C19D-16GVR)

Пам'ять Samsung 8 GB DDR4 3200 MHz (M378A1K43EB2-CWE)

Kingston 32GB 6400MT/s DDR5 CL32 DIMM FURY Renegade RGB XMP EAN: 740617339413 (KF564C32RSA-32)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SO-DIMM, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11/4G)

Модуль памяти G.Skill SoDIMM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (F4-2400C16S-8GRS) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: SODIMM 260-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 8 Гб; поддержка XMP; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 16; Row Precharge Delay (tRP): 16; Activate to Precharge Delay (tRAS): 39; напряжение питания: 1.2 В. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти GoodRam DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (GR2666D464L19S/8G) - тип: для ПК; тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 ГБ; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

DDR4 16G 266MHz PATRIOT with Heatshield (box) (PSP416G266681H1)

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 16 ГБ, Количество модулей в наборе - 2, Частота памяти - 2666 MHz, Тайминги - CL19, Напряжение - 1.2 V

DDR4 8192M 2666MHz GoodRAM, Retail (GR2666D464L19S/8G#)

Модуль памяти eXceleram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (E404247A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2400MHz;4 тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти Transcend DDR4 2666 16GB (JM2666HLE-16G)

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 16 ГБ, Количество модулей в наборе - 2, Частота памяти - 2666 MHz, CL19, Напряжение - 1.2 V

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22, 1.2 V, 288-pin SO-DIMM, non-ECC

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 16 GB, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 2666 MHz, CL19, Напряжение - 1.2 V

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, 2666 MHz, CL16-18-18, 1.2 V

Модуль памяти DDR4 8Gb 3600MHz OCPC XT II Black, Retail (MMX8GD436C18U)

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 4 ГБ, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 2666 MHz, CL19, Напряжение - 1.2 V, 120 месяцев

Модуль памяти eXceleram DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (E408269A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2666MHz; тайминги: CL19; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти Transcend JetRam DDR4 SoDIMM 8GB 3200MHz (JM3200HSB-8G)

Модуль памяти TRANSCEND DIMM 8GB JetRam DDR4 3200 1Rx16 CL19 1.2V (JM3200HLB-8G)

Память AddLink 8GB DDR4 3200MHz Spider 4 (AG8GB32C16S4UB)

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет

Модуль памяти DDR4 32GB 3200 Samsung original C22 (M378A4G43AB2-CWE)