Оперативная память

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V DDR4 8Gb (2x4Gb) 2400MHz (F4-2400C17D-8GVR) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 4 ГБ; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: красный. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V DDR4 8Gb (2x4Gb) 2666MHz (F4-2666C15D-8GVR) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 4 ГБ; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15-35; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: красный. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти eXceleram DDR4 SoDIMM 32Gb (2x16Gb) 2400MHz (E432247SD) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 32Gb; количество модулей в наборе: 2; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V.

Модуль памяти Patriot Original DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (PSD34G1600L81S) - тип: для ноутбуков; тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 ГБ; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.35 В .

Модуль памяти Patriot DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (PSD416G26662) - тип: для ПК; тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 1х16 ГБ; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Crucial DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (CT8G4SFS8266) - тип: оперативная память; тип памяти: DDR4; суммарный объем памяти всего комплекта: 8 ГБ; объем одного модуля памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; частота: 2666 МГц; пропускная способность: PC21300; CAS Latency (CL): 19; напряжение питания: 1.2 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16LN11/4) - тип: для ПК; тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 ГБ; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.35 В.

Модуль памяти GoodRam DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (GR2666D464L19S/4G) - тип: для ПК; тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 ГБ; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти GoodRam DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (GR2666D464L19S/8G) - тип: для ПК; тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 ГБ; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Geil DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (GN48GB2400C17S) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Afox DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (AFLD44EK1P) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти eXceleram DDR4 SoDIMM 16Gb (2x8Gb) 2400MHz (E416247SD) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16Gb; количество модулей в наборе: 2; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (GM16LS11/8) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR3L; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; CAS Latency (CL): CL11; рабочее напряжение: 1.35 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GM24N17S8/4) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (HMA851S6CJR6N-UH) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (M471A1K43CB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти GoodRam DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (GR2666D464L19/16G) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Patriot Original DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (PSD48G266681) - тип: для ПК; тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 ГБ; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Patriot DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (PSD44G266681) - тип: для ПК; тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 ГБ; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти G.Skill Trident Z RGB DDR4 32Gb (2x16Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-32GTZR) - объем памяти: 16 ГБ; тип памяти: DDR4 SDRAM; напряжение питания: 1.35 В; частота памяти: 3200 МГц; радиаторы на планках; охлаждение: радиатор; эффективная пропускная способность: 25600 МБ/с; количество планок: 2; схема таймингов памяти: 16-18-18-38-2N; назначение: для настольных ПК; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: небуферизированная (Unbuffered). ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (HMT351S6EFR8A-PB) - набор: 1 модуль; объем: 4 Гб; тип: DDR3 SO-DIMM; частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; тайминги: 11-11-11; напряжение питания: 1.35 В; расположение чипов: двустороннее; число микросхем: 16; емкость микросхем: 2 Гбит; тип микросхем: 256Mx8.

Модуль памяти Samsung DDR3 ECC 32Gb (1x32Gb) 1866MHz (M386B4G70DM0-CMA) - стандарт: DDR3; форм-фактор: DIMM; объем одного модуля: 32 ГБ; количество модулей в комплекте: 1 шт.; суммарный объем: 32 ГБ; эффективная частота: 1866 МГц; пропускная способность: 14900 Мб/с; поддержка ECC; буферизованная (регистровая); количество чипов на модуле: 36 шт.; количество контактов: 240; количество ранков: 4; CAS Latency (CL): 13; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30; напряжение питания: 1 В; нормальная операционная температура (Tcase): 85 dgr.C; расширенная операционная температура (Tcase): 95 dgr.C; компоновка чипов на модуле: двусторонняя; аадиатор; габариты: 133.35 x 30 мм; вес брутто: 50 г. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Apacer DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (DV.04G2K.KAM) - назначение: для ноутбуков; объем памяти: 4 ГБ; количество планок: 1; форм-фактор памяти: SoDIMM; тип оперативной памяти: DDR3; частота: 1600 МГц; пропускная способность: 12800 МБ/c; тайминги: CL11; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); напряжение питания: 1.35 В.

Модуль памяти G.Skill Trident Z DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-16GTZSK) - назначение: для настольных компьютеров; объем: 16 ГБ; количество планок в комплекте: 2; тип: DDR4; стандарт: PC4-25600; эффективная частота: 3200 МГц; штатные тайминги: 16-18-18-38-2N; рабочее напряжение: 1.35 В; радиаторы; поддержка XMP; буферизация: Unbuffered; формфактор памяти: 288-pin DIMM; серия: TridentZ Series. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Golden Memory DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (GM800D2N6/2G) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR2; объём памяти: 2 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 800 МГц; CAS Latency (CL): CL6; рабочее напряжение: 1.8 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 4Gb (1x4Gb) 1333Mhz (GM1333D3N9/4G) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1333 МГц; CAS Latency (CL): CL9; рабочее напряжение: 1.5 В.

Модуль памяти Samsung Original DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (M378A2K43CB1-CTD) - объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота:: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти AMD Radeon R3 Value DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (R322G805U2S-UG) - стандарт: DDR2; форм-фактор: DIMM; объем одного модуля: 2 ГБ; количество модулей в комплекте: 1 шт.; суммарный объем: 2 ГБ; эффективная частота: 800 МГц; пропускная способность: 6400 Мб/с; количество чипов на модуле: 16 шт.; количество контактов: 240; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; Activate to Precharge Delay (tRAS): 18; напряжение питания: 1.8 В; нормальная операционная температура (Tcase): 85 dgr.C; расширенная операционная температура (Tcase): 95 dgr.C; компоновка чипов на модуле: двусторонняя; вид поставки: OEM; габариты: 133.35 x 30 мм; вес брутто: 18 г. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (M378A5244CB0-CTD) - тип: DDR4, DIMM, 288-контактная; объем: 16 Гб; тактовая частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 Мб/с; ранки и чипы ранков: 2; напряжение питания: 1.2 В; тайминги: CL 19.

Модуль памяти Golden Memory DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (GM24N17S8/8) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В.